[其他]制造半导体集成电路器件的方法

说明书

在一个共用的工序中形成了Ｐ和Ｎ沟道ＭＯＳ场效应晶体管的Ｐ和Ｎ型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在Ｎ型源或漏区以离子注入法注入一种Ｎ型杂质。把此Ｎ型杂质退火以形成一个比Ｎ型源或漏区为深的Ｎ型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此Ｎ型源或漏区。

本发明涉及一种半导体集成电路器件，更具体地说，涉及一种制造半导体集成电路器件的方法，该器件具有能防止半导体区损坏的结。

随着近年来半导体器件，例如集成电路或大规模集成电路的集成度的增加，这些器件的部件愈做愈小。在金属-氧化物半导体晶体管（MOS）型的半导体器件中，MOSFET（即金属氧化物半导体场效应晶体管）的尺寸已经缩小了，即它的沟道缩短了。按照这种缩短了的沟道，它的半导体区的结浅到大约0.2到0.4微米。

该半导体区与用来作导线层的铝连接。为了在铝与半导体区（硅）之间建立起欧姆接触而进行的新热处理会产生所谓的“合金尖”（alloy spike），即铝溶入基片。当此合金尖到达PN结时，该结即被短路，或者漏电流增加。结果，使部件的可靠性下降。如在上面已经描述过的那样，MOS场效应晶体管结深在逐年减小，因此，在最近的MOS场效应晶体管中，对抑制或防止由于合金尖引起的结损坏作了各种各样的试验。所提出的方法中，有一种方法是利用通过接触孔把一种杂质扩散到相同导电率类型的半导体区，以使接触孔部位处的结深得到局部地扩大。此方法既简单又有效，只需要一道工序就可完成。

这种方法已经得到披露，例如，在日经麦格劳·希尔有限公司（Mikkei Mcgraw Hill Co.Ltd）1983年8月23日出版的“日经电子学特刊”（“Special Essue of Nikkei Electronics”）第122页中加以公开。

根据我们的研究，如果上述方法按原样应用于具有P型半导体区和N型半导体区的这样一种半导体器件（例如一种有P沟道MOS场效应晶体管和N沟道MOS场效应晶体管的互补金属-氧化物半导体（CMOS）器件），则制造CMOS器件的大量工序还要增加。

本发明的一个目的是提供制造一种半导体器件的方法，此方法可以容易地防止任何结的损坏，而在实质上不增加任何工序。

本发明的另一个目的是改善多晶硅层、难熔金属硅化物层或硅化物层与铝层之间的连接。

本发明的更进一步的目的是提供一种技术，该技术能使半导体区与导电层之间的连线电阻减小，因而加快了半导体集成电路器件的工作速度。

从下面的参考附图的描述中，对本发明的上述的和未述及的目的和新的特性将是显而易见的。

在此要提示的本发明的一个代表性的综述将简述如下：

在把第一导电率类型半导体区和导电层连接起来的接触孔以及把第二导电率类型半导体区和导电层连接起来的接触孔，两者均按通用工序形成之后，用离子注入的方法把第一导电率类型杂质注入到第一导电率类型半导体区中。结果，形成这些接触孔的工序可以减少到一个。

图1是表示本发明的一种CMOS型半导体集成电路器件的剖视图;

图2A到2E是表明说明了本发明的一个实施方案的制造工序的剖视图;以及

图3到图6是分别地说明了本发明其它实施方案的剖视图;

图1表示一种具有本发明的CMOS结构的半导体集成电路器件。

形成MOS场效应晶体管的区域是用场绝缘薄膜（或SiO₂）₂来表示的，该薄膜形成在由N型硅单晶制成的半导体基片1上。在形成于半导体基片1上的P^-型井区3和N^-型井区4中，分别地形成着N沟道的MOS场效应晶体管5，和P型沟道MOS场效应晶体管6。