[其他]具有控制电极的半导体器件

权利要求书

1、具有一种结构的半导体器件，在半导体基片（1，101）的一对主表面之间至少包括三层半导体，上述几层半导体中相邻的半导体层的导电类型彼此不同，上述几层半导体中的第一层至少由一个具有一定宽度的条状区域（20，120）形成，上述几层半导体中的第二层（30，130）与上述半导体基片的第一主表面相连通，同时与上述条状区域相通，第一主电极（2，102）与上述第一主表面上的条状区域保持欧姆接触，第一和第二控制电极在上述条状区域两侧上沿其长度方向侧与上述第二层半导体（30，130）保持欧姆接触，第二主电极（4，104）与上述半导体基片的第二主表面保持欧姆接触;

其特点在于：上述第一控制电极（3a，103a）制作在上述条状区域（20，120）沿其长度方向的一侧上，并直接与上述半导体器件的控制端（6，106）相连接，上述第二控制电极（3b，103b）制作在上述条状区域沿其长度方向的另一侧上，并仅通过上述第一控制电极和第一控制电极与第二控制电极之间的上述第二层半导体的电阻R与控制端相连接，且上述半导体基片（1，101）具有加速偏置的机构，当流过半导体基片的电流被关断的时候，用来将导电区迅速地偏置到第二控制电极侧。

2、根据权利要求1的半导体器件，其中上述加速偏置的机构是用来增加内阻的，该内阻是指除了上述条状半导体区和第三层半导体（10，110）之间的区域中存在于上述第一控制电极和第二控制电极之间的部分之外，还有由上述第二层半导体的其余部分构成的电阻。

3、根据权利要求2的半导体器件，其中用来增加该内阻的上述机构是一个扩散区（21、22;121、122），它是在条状区域沿其长度方向的两端之外的第二层半导体上形成的，并具有与条状区域相同的导电类型。

4、根据权利要求2所述的半导体器件，其中用来增加上述内阻的方法是个沟槽（31、32），该沟槽制作在上述条状区域沿其长度方向的两端之外的第二层半导体上。

5、根据权利要求2所述的半导体器件，其中用来增加上述内阻的方法是个切去部分（1a、1b），它是在上述条状区域沿其长度方向的两端之外的第二层半导体和第三层半导体上形成的切去部分。

6、根据权利要求2所述的半导体器件，其中用来增加上述内阻的方法是使上述第二层半导体和第三层半导体之间形成的PN结在上述条状区域沿其长度方向之外与第一主表面连通并使该PN结位于上述条状区域和上述第二层半导体之间形成的另一个PN结的最邻近处。

7、根据权利要求1所述的半导体器件，其中上述半导体基片包括一个第四层半导体（50），这第四层半导体（50）邻近上述第三层半导体，其导电类型与第三层半导体不同，具有与上述第三层半导体相同导电类型的高掺杂浓度的短路区（50）是在第四层半导体中从上述第二主表面向上述第三层半导体伸延的，并在上述第二主表面上与上述第二主电极保持欧姆接触，上述第一短路区是在一个突出面上形成的，该突出面制作在第二主表面的条状区域上。第二和第三短路区域是在上述条状区域沿其宽度方向的一端和另一端上分别形成的，第二短路区的平行于上述第二主表面的横截面，大于第三短路区的横截面，以使条状区域沿其宽度方向上一端的载流子量小于该条状区域另一端的载流子量。

8、如权利要求1所述的半导体器件，其中存在上述条状区域与上述第三层半导体之间的第二层半导体部分，其厚度是在所述条状区域沿其宽度方向上一端的厚度大于另一端的厚度。

9、根据权利要求1所述的半导体器件，其中上述条状区域沿其宽度方向上的一端（a），就其杂质浓度而言，a端的杂质浓度比条状区域另一端（b）的杂质浓度低。

10、根据权利要求1所述的半导体器件，其中在上述半导体基片上载流子复合中心只是在条状区域沿其宽度方向的一端上形成的。