[其他]低机械品质因素压电陶瓷材料在审
| 申请号: | 101985000000710 | 申请日: | 1985-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN85100710B | 公开(公告)日: | 1988-01-06 |
| 发明(设计)人: | 刘永怀 | 申请(专利权)人: | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号: | 分类号: | ||
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 机械 品质 因素 压电 陶瓷材料 | ||
一种包含有0.05克分子的锂锑酸铅,0.46克分子的钛酸铅0.49克分子的锆酸铅,并以0.01至0.15的Sr置换Pb所形成的本发明的陶瓷材料,具有极低的机械Q值,高的灵敏度,高的谐振阻抗及适宜的耦合系数,介电常数,且具有成本低。易于制造等特点,是超声无损检测较为理想的材料。
本发明属于压电陶瓷材料及其制法
在不同的使用场合,对压电陶瓷材料的性能有不同的要求。在超声无损检测中,随着探测精度的不断提高,迫切要求探头能适应高频,高阻尼、高分辨率,小盲区的要求。从目前的材料性能来看,PZT材料虽有较高的灵敏度,但径向和厚度的耦合系数Kp,Kt较为接近。机械Q值虽在100左右,但仍较高,PbTiO3材料(上田一朗等Nati onal Tech Report.18(1972)413)虽然厚度耦合系数Kt比径向耦合系数大得多,但机械Q值却高达1000,PbNb2O6虽有厚度耦合系数大,介电常数低,Qm低(约11)等优点(Satoshi Nanamatsce etal.N.E.C Research & Development.27(1972),17),但压电常数d33值又较低,同时该材料的制造工艺又不易掌握,另外PSN虽是无损检测用的一种较好的材料,(L.Egerton and C.A Bieling Amer Ceram Soe Bull 47(1968)1151),但需采用热压工艺,不但材料的成本高,又不便于批量生产。另外PZT陶瓷一般的Qm在80左右,W.Wersing经过努力也只将Qm降至20左右(W.Wersing.Low-Q PZT Ceramics.Ferroelectrics 1980 Vo126,PP 783~86)再降低就很困难了。
本发明的目的就在于寻求一种新的材料,降低其径向耦合系数,介电常数,机械Q值,提高谐振阻抗。改善工艺条件,以适应这方面的要求。
Pb(Li1/4Sb3/4)O3-PbTiO3-PbZrOs系固溶体具有低的机械Q值(约80左右)高的机电耦合系数(Kp约0.70左右)和高的介电常数(约1000左右)(JP 特昭45-35511)
本发明就是从这锂锑锆钛酸铅系出发,选取不同的各成份的组成百分比(克分子比),并且用不同量的Sr置换Pb来达到降低径向耦合系数与厚度耦合系数之比,降低介电常数和机械Q值,提高谐振阻抗的目的。
本发明的一个实施例所包含的成份,其化学式为
{Pb1-xSrx〔(Li1/4Sb3/4)〕O3}0.05-{Pb1-xSrxTiO3}0.46-{Pb1-xSrxZrO3}0.49
亦即Pb1-xSrx〔(Li1/4Sb3/4)0.05Ti0.46Zr0.49〕O2
就是说以0.05克分子的锂锑酸铅(Pb(Li1/4Sb3/4)O3)、0.46克分子的钛酸铅(PbTiO3)和0.49克分子的锆酸铅(PbZrO3)所形成的三元系固溶体,以0.01至0.15克分子的Sr置换Pb而得本发明的低Qm压电陶瓷材料,其置换量X的最佳值为0.05克分子。
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