[发明专利]多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成有效
| 申请号： | 03178621.9 | 申请日： | 2003-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1507047A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | S·R·彻拉斯;M·W·莱恩;S·G·玛尔霍特拉;F·R·麦克菲利;R·罗森博格;C·J·萨姆巴塞迪;P·M·怀瑞根 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多级 半导体 结构 对准 金属线 互连 形成 | ||
【权利要求书】：
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