[发明专利]一种用于形成如图 5所示具有衬底(2 )、带有至少一个沟槽 ( 5 2 )的电压维持外延层 ( 1 )、以及邻接并环绕该沟槽的掺杂区（5a）的功率半导体器件的方法无效
| 申请号： | 02826543.2 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1610975A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·布兰查德;石甫渊 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;关兆辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 形成 具有 衬底 带有 至少 一个 沟槽 电压 维持 外延 以及 邻接 环绕 掺杂 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用半导体公司，未经通用半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02826543.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热塑性弹性体组合物
- 下一篇：具有HMP金属栅的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
