[实用新型]室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件无效
| 申请号： | 02232816.5 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN2535819Y | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 岳瑞峰;王燕;但亚平;刘理天;姚永昭 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/35;G02B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 室温 发光 硅基法布里 珀罗 器件 | ||
【权利要求书】：
1.室温发光硅基法布里-玻罗微腔器件，含有两个多孔硅/多孔硅布拉格反射器(DBR)、放在它们中间的高多孔度的多孔硅光发射层和衬底，其特征在于：所述的两个多孔硅/多孔硅DBR都是由a-Si∶H薄膜和a-SiOxNy∶H薄膜交替淀积形成的多层膜构成，x、y表示含量；硅基光发射层是a-SiCx∶H薄膜，x表示含量。
2.根据权利要求1的室温发光硅基法布里-玻罗微腔器件，其特征在于：所述的布拉格反射器在顶部为6层薄膜，低层为7层薄膜。
3.根据权利要求1或3的室温发光硅基法布里-玻罗微腔器件，其特征在于：当所述的底层布拉格反射器的中心波长λ为700nm，微腔内的a-SiCx∶H薄膜的厚度da-SiCx：H为120nm＜da-SiCx∶H＜170nm。
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