[实用新型]双分裂大漏抗可控调节消弧线圈无效

专利信息
申请号: 02229934.3 申请日: 2002-03-28
公开(公告)号: CN2535960Y 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: 张旭俊;龚多祥 申请(专利权)人: 广东增城特种电力设备有限公司
主分类号: H02H9/08 分类号: H02H9/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511300 广东省增*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 分裂 大漏抗 可控 调节 弧线
【说明书】:

实用新型涉及可控调节消弧线圈,特别是一种双分裂大漏抗可控调节消弧线圈。

目前的消弧线圈的结构有调感式、调容式,其缺点是需要机械的转动投切机构,使用时可靠性较差。此外,也有些技术资料提出采用一次和二次线圈按同心圆的排列来设计大漏抗消弧线圈,加大线圈直径,使线圈绕制消耗材料增加,成本高。

本实用新型的目的是针对上述的缺点,研制一种双分裂大漏抗可调节消弧线圈,采用“日”字型铁心,把高压线圈绕在中间铁心柱上,低压线圈分别绕在两边柱上,既不用机械转动机构,也不用加大线圈直径,减少体积,节省材料,使用安全可靠。

本实用新型的目的是按如下方案实现的:采用“日”字型铁心,把高压线圈W1绕在中间铁心柱上,两个低压线圈W2和W3分别绕在两个边柱上,高低压线圈之间的漏抗可以做得很大,而高低压线圈直径都较小。高压W1线圈的首端D1接到接地的中点,高压线圈的尾端D2接地。在低压W2线圈的中部有抽头1、2,其相应的线圈标记为W4。在低压W3线圈的中部有抽头3、4,其相应的线圈标记为W5。第一组双向可控硅由S1、S2两个可控硅组成,接在W2线圈首尾D3、D4之间。第二组双向可控硅由S3、S4两个可控硅组成,接在W3线圈首尾D5、D6之间,正常两个低压线圈只有一个线圈的抽头被短接,被短接的是抽头W5线圈,即抽头3、4之间被短接。

也可以在消弧线圈的首尾D1、D2两端直接并联电容C1,以减少流过接地点电弧的电流,节省消弧线圈的材料。

为了加强滤波效果,勿使高次谐波通入接地点,在主柱上绕一个第3副线圈WK,由它的两端K1、K2接滤波电容C1。高压线圈W1和滤波副线圈WK按同心圆内外排列绕制,它们之间是紧耦合,漏抗小,使电容滤波效果好。

由于采用本实用新型,不仅可减少消弧线圈的体积、节省材料,使用安全可靠,而且测量系统电容电流的计算更准确。

结合附图和实施例,详细公开本实用新型的结构。

图1是本实用新型实施例1的结构示意图;

图2是本实用新型实施例2的结构示意图。

实施例1:

采用“日”字型铁心,把高压线圈W1绕在中间铁心柱上,两个低压线圈W2和W3分别绕在两个边柱上,高低压线圈之间的漏抗可以做得很大,而高低压线圈直径都较小。高压W1线圈的首端D1接到接地的中点,高压线圈的尾端D2接地。在低压W2线圈的中部有抽头1、2,其相应的线圈标记为W4,在低压W3线圈的中部有抽头3、4,其相应的线圈标记为W5。第一组双向可控硅由S1、S2两个可控硅组成,接在W2线圈首尾D3、D4之间。第二组双向可控硅由S3、S4两个可控硅组成,接在W3线圈首尾D5、D6之间。两个低压线圈只有一个线圈的抽头被短接,被短接的是抽头W5线圈,即抽头3、4之间被短接。

实施例2:

双分裂大漏抗消弧线圈在中点不接地系统实用接线的实施例:为了加强滤波效果,勿使高次谐波通入接地点,在主柱上绕一个第3副线圈WK,由它的两端K1、K2接滤波电容C1。高压线圈W1和滤波线圈WK按同心圆内外排列绕制,它们之间是紧耦合,漏抗小,使电容滤波效果好。

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