[发明专利]互补式金属半导体影像传感器的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该传感器至少包括：

一基底；

一光二极管感测区，设置于该基底中；

一晶体管元件区，设置于该基底中，且该光二极管感测区与该晶体管元件区以一隔离层区隔；

一晶体管，设置于该晶体管元件区上，该晶体管包括一栅极氧化层、一栅极导体层、一间隙壁与一源/漏极区；

一自对准绝缘层，设置于该光二极管感测区上；以及

一保护层，设置于该基底上，且至少覆盖该光二极管感测区以及该晶体管元件区。

2.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该保护层的材质包括防止等离子体蚀刻侵蚀的材质。

3.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该保护层的材质包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该自对准绝缘层的材质包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该光二极管感测区包括一掺杂区，且该掺杂区的掺杂型态与该源/漏极区相同。

6.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，更包括一金属硅化物层覆盖于该栅极导体层与该源极/漏极区上。

7.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该基底具有p型掺杂，该光二极管感测区包括一n型掺杂区。

8.如权利要求1所述的互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该基体具有n型掺杂，该光二极管感测区包括一p型掺杂区。

9.一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：

提供一基底；

在该基底中形成多个隔离层，且该些隔离层将该基底区隔为一光二极管感测区以及一晶体管元件区；

在该基底上形成一栅极氧化层、一栅极导体层；

定义该栅极导体层以及该栅极氧化层，以于该晶体管元件区形成一栅极结构；

在该栅极结构两侧的该晶体管元件区中形成一源/漏极区，且同时在该光二极管感测区中形成一掺杂区；

在该光二极管感测区上形成一自对准绝缘层；以及

在该基底上形成一保护层，且该保护层至少覆盖于该光二极管感测区以及该晶体管元件区之上。

10.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该保护层的材质包括防止等离子体蚀刻侵蚀的材质。

11.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该保护层的材质包括氮化硅。

12.如权利要求11所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，形成该保护层的方法包括一等离子体增强型化学气相沉积法。

13.如权利要求12所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该等离子体增强型化学气相沉积法所使用的反应气体源包括硅甲烷与氨气。

14.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该自对准绝缘层的材质包括氧化硅。

15.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，形成该自对准绝缘层的方法包括等离子体增强型化学气相沉积法。

16.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，更包括在该些隔离层下形成一通道阻绝区。

17.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，更包括进行一自对准金属硅化工艺，以在该栅极导体层与该源/漏极区形成一金属硅化物。

18.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该基底具有p型掺杂，且形成该源/漏极区以及该掺杂区所植入的离子包括n型掺杂。

19.如权利要求9所述的互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，其特征是，该基底具有n型掺杂，且形成该源/漏极区以及该掺杂区所植入的离子包括p型掺杂。