[发明专利]非导电长波热辐射防护屏

说明书

技术领域

本发明一般涉及特别适用于磁共振成像(MRI)系统的热辐射防护屏，更具体地说，涉及在射频(RF)防护屏和病人孔道框架之间屏蔽辐射热转移的方法和装置。

背景技术

目前，磁共振成像(MRI)系统已包括产生时间恒定主磁场的超导磁体。该超导磁体与被顺序地加以脉冲的磁梯度线圈组件一起使用，在MRI的数据采集程序中在静态磁场中形成一系列受控梯度。受控梯度在整个患者的成像容积(病人孔道)中实现，成像容积连接到至少一个MRI(RF)线圈或天线。RF线圈位于磁梯度线圈组件和病人孔道之间。

作为典型MRI的一部分，适当频率的RF信号发送到病人孔道中。通过RF线圈接收到从病人孔道发出的核磁共振(nMR)响应RF信号。此频率中的编码信息和利用RF电路接收到的RF信号的相位参数经过处理形成直观图像。这些直观图像对应于在病人孔道内患者的截面或容积中的nMR核子分布。

现在的MRI系统由于功率密度较高故要求有较高的磁梯度线圈组件温度。现代MRI系统还减小了磁梯度线圈组件和病人孔道外表面之间的空间量，因而，就不可能在病人孔道中进行主动冷却。所以，需要一种被动冷却方法来减少从磁梯度线圈组件到RF线圈和病人孔道的热转移。热辐射防护屏是一种被动冷却方法，已在除MRI系统外的其他工业领域用来减少热转移。

在先有技术中已知具有红外特性的热辐射防护屏可大大降低热转移量。过去，热辐射防护屏由于其金属化涂层而具有红外反射特性。金属化涂层使所述防护屏导电。

如果把导电的防护屏用在RF线圈和磁梯度线圈组件之间，它可能破坏RF电路的共振电特性，还可能降低nMR信号的保真度。导电的防护屏还会导致产生有害的涡流。由于涡流会产生其自身的磁场，由这些涡流产生的磁场就会干扰MRI的成像过程。

如果把红外反射防护屏用在RF线圈和RF防护屏之间，它会在MRI工作时干扰感兴趣的RF波长。对感兴趣的RF波长的干扰可能会使MRI成像发生问题。

结合上述，具有病人孔道的金属外表面的MRI系统可能也具有由这些金属表面引起的对nMR信号的RF干扰。

因此希望在现有MRI系统中提供一种既可减少从梯度线圈到病人孔道和RF线圈的热转移、又不破坏nMR信号的方法。

发明内容

因此，本发明的一个目的就是减少磁共振成像(MRI)系统的病人孔道外表面和磁梯度线圈组件之间的辐射热转移量，而且在MRI工作时不干扰感兴趣的传输的RF波长。

本发明的另一方面是实现上述目的并同时满足空间的限制。

在本发明的一个方面，提供一种热辐射防护屏。所述热辐射防护屏包括第一涂层和第二涂层。在所述第一涂层和第二涂层之间设置热屏蔽层。该热辐射防护屏具有非干扰性电特性。

按照上述和其他目的，提供了在第一表面和第二表面之间加上一层热辐射防护屏的方法。所述加上热辐射防护屏的方法包括在第一表面涂敷第一涂层。然后在所述第二表面上涂敷第二涂层。然后在第一涂层和第二涂层之间设置热屏蔽层。

本发明的另一优点是它具有通用性，可用于具有不同空间条件的各种MRI系统。本发明的另一个优点是：由于本发明的红外反射和热性能，现代MRI系统中较高的磁梯度线圈组件温度已不再有什么关系了。

此外，本发明避免破坏RF电特性，不产生寄生的nMR信号。因此，由于上述优点，具有无干扰电特性的红外反射式热辐射防护屏是有可能的。

参考以下详细说明并结合附图就可更好地理解本发明本身及其进一步的目的和伴随的优点。

附图说明

为了更完全地理解本发明，请参考在附图中详细示出的和以下用实例说明的实施例。

附图中：

图1是利用按本发明的优选实施例施加的热辐射防护屏的磁共振成像(MRI)系统的方框图；

图2是按本发明的优选实施例的MRI系统的放大的详细的截面图；以及

图3是用NTRS44的MRI系统10和不用NTRS44的MRI系统10的温度与时间的关系的曲线图。

具体实施方式