[发明专利]多包层光纤预制棒及制造方法有效
| 申请号： | 02138975.6 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1398804A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 何珍宝;童维军 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/012 | 分类号： | C03B37/012;C03B37/014;C03B20/00;G02B6/00 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王和平 |
| 地址： | 430073*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包层 光纤 预制 制造 方法 | ||
1、一种多包层光纤预制棒，它包括芯棒和外包层，芯棒由芯层、内包层、低羟基高纯包层依次组成，外包层分为高纯度外包层和次高纯度外包层，各层的尺寸如下：
内包层外直径B与芯层外直径A之比为1.0-4.0；
低羟基高纯包层外直径C与芯层外直径A之比为2.0-5.0；
高纯度外包层外直径D与芯层外直径A之比为5.0-13.0；
次高纯度外包层外直径E与芯层外直径A之比为13.5-15.2；
2、根据权利要求1的一种多包层光纤预制棒，其中各层的尺寸如下：
内包层外直径B与芯层外直径A之比为2.0-3.0；
低羟基高纯包层外直径C与芯层外直径A之比为3.0-4.0；
高纯度外包层外直径D与芯层外直径A之比为8.0-11.5；
次高纯度外包层外直径E与芯层外直径A之比为14.0-14.6；
3、根据权利要求1的一种多包层光纤预制棒，其中各层的尺寸如下：
内包层外直径B与芯层外直径A之比为2.0；
低羟基高纯包层外直径C与芯层外直径A之比为3.5；
高纯度外包层外直径D与芯层外直径A之比为10.5；
次高纯度外包层外直径E与芯层外直径A之比为14.3；
4、根据权利要求1至3任一项的一种多包层光纤预制棒，其中高纯度外包层由含量为99.99％--99.999％高纯度的SiCl4制备而成。
5、根据权利要求1至3任一项的一种多包层光纤预制棒，其中次高纯度外包层由含量为99％--99.99％的SiCl4制备而成。
6、根据权利要求1至3任一项的一种多包层光纤预制棒，其中次高纯度外包层外直径E为20-200mm。
7、根据权利要求6的一种多包层光纤预制棒，其中次高纯度外包层外直径E为80mm。
8、一种多包层光纤预制棒的制造方法，它依次包括以下步骤：(1)芯棒的制备；(2)在芯棒的外表面，用含量为99.99％--99.999％高纯度的SiCl4为原料，
采用管外沉积工艺制造高纯度外包层而制成预制棒；(3)在预制棒的外表面，用含量为99％--99.99％的SiCl4为原料，采用管 外沉积工艺制造次高纯度外包层而制成多包层光纤预制棒。
9、根据权利要求8的一种多包层光纤预制棒的制造方法，其中步骤(2)、(3)所述的管外沉积工艺是直接沉积方法。
10、根据权利要求8的一种多包层光纤预制棒的制造方法，其中步骤(2)、(3)所述的管外沉积工艺是石英套管方法，它采用已成型的与管外沉积工艺具有相同的CSA高纯度或次高纯度石英管来形成高纯度外包层或次高纯度外包层。
11、根据权利要求8的一种多包层光纤预制棒的制造方法，其中步骤(2)、(3)所用原材料可以是氧化硅粉末，也可以是有机硅原料。
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