[发明专利]一种制备氧化钒薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 02138793.1 申请日: 2002-07-13
公开(公告)号: CN1392286A 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 黄光;陈长虹;王宏臣;李雄伟;陈四海;易新建 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/36
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 方放
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 氧化 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种制备氧化钒薄膜的方法,依次包括以下步骤:

(1)衬底表面清洗;

(2)溅射钒膜,其流程为:

    (2.1)充入氩气至安放衬底的真空室,分别采用平行粒子束、聚焦粒子

         清洗衬底和耙材;

    (2.2)溅射镀制钒膜,直至镀膜结束;

(3)氧化扩散和后退火,其流程为:

    (3.1)在氩气气氛下加热退火炉,升温后充入氧气,氧气和氩气的流

         量比为1∶10~10∶1;

    (3.2)对步骤(2)所镀制的钒膜加以氧化,制备氧化钒薄膜;

    (3.3)钒膜氧化充分后,关闭氧气阀,氧化钒膜在纯氩气中退火;

    (3.4)退火结束后,关闭退火炉,氧化钒薄膜在氩气环境内冷却至室

         温。

2.根据权利要求1所述的制备氧化钒薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(3.1)中氧气和氩气的流量比为1∶2~2∶1。

3.根据权利要求1或2所述的制备氧化钒薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(3.1)中升温温度为350℃~500℃。

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