[发明专利]一种制备氧化钒薄膜的方法无效
申请号: | 02138793.1 | 申请日: | 2002-07-13 |
公开(公告)号: | CN1392286A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 黄光;陈长虹;王宏臣;李雄伟;陈四海;易新建 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/36 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 方放 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
1.一种制备氧化钒薄膜的方法,依次包括以下步骤:
(1)衬底表面清洗;
(2)溅射钒膜,其流程为:
(2.1)充入氩气至安放衬底的真空室,分别采用平行粒子束、聚焦粒子
清洗衬底和耙材;
(2.2)溅射镀制钒膜,直至镀膜结束;
(3)氧化扩散和后退火,其流程为:
(3.1)在氩气气氛下加热退火炉,升温后充入氧气,氧气和氩气的流
量比为1∶10~10∶1;
(3.2)对步骤(2)所镀制的钒膜加以氧化,制备氧化钒薄膜;
(3.3)钒膜氧化充分后,关闭氧气阀,氧化钒膜在纯氩气中退火;
(3.4)退火结束后,关闭退火炉,氧化钒薄膜在氩气环境内冷却至室
温。
2.根据权利要求1所述的制备氧化钒薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(3.1)中氧气和氩气的流量比为1∶2~2∶1。
3.根据权利要求1或2所述的制备氧化钒薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(3.1)中升温温度为350℃~500℃。
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