[发明专利]库仑岛型整流单分子二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 02138456.8 | 申请日： | 2002-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1490884A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 侯建国;王兵;王晓平;曾长淦;张琨 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 库仑 整流 分子 二极管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02138456.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜半导体装置及其制造方法
- 下一篇：一种发光二极管及其制法
- 同类专利
- 专利分类
