[发明专利]一种用于光调制热成像系统的芯片及制作方法

权利要求书

1、一种用于光调制热成像系统的芯片，由滤光片、半透镜和微镜阵列组成，其特征在于微镜的反射面和半透镜的反射面构成F-P腔的两个反射面，它们之间的距离为入射红外辐射波长的四分之一。

2、按权利要求1所述用于光调制热成像系统的芯片，其特征在于所述的微镜阵列中镜面被包围在一个硅框架中，上方是键合在硅框架上的半透镜，镜面被四根弯曲的复合梁支撑，其一端固定在镜面上，另一端固定在硅框架上。

3、按权利要求2所述用于光调制热成像系统的芯片，其特征在于复合梁长度与复合梁的灵敏度有关，它或是采用沿镜面双边的弯曲梁或是沿镜面三边的U形梁或是沿镜面四边的弯曲梁；或是采用沿镜面单边的折叠梁，或是采用沿镜面单边的直梁。

4、按权利要求1或2或3所述用于光调制热成像系统的芯片，其特征在于镜面和复合梁或是铝膜或金膜和氧化硅膜组成；或是铝膜或金膜和氮化硅膜组成；或是铝膜或金膜和氧化硅膜及氮化硅膜组成。

5、按权利要求4所述用于光调制热成像系统的芯片，其特征在于所述的镜面区域和复合梁区域由不同的复合层组成。

6、一种用于光调制热成像系统的芯片，包括光刻、蒸膜、腐蚀硅、腐蚀二氧化硅、去胶、热氧化、蒸铝或金工艺过程，其特征在于：

(1)选择合适厚度的二氧化硅、硅膜的SOI硅片，使得硅膜的厚度等于F-P腔的两个反射面之间的距离；二氧化硅厚度等于微镜的厚度；

(2)光刻并刻蚀出微镜图案，将硅、玻璃键合使F-P腔的两个面键合在一起。

7、按权利要求6所述用于光调制热成像系统的芯片，其特征在于选用的硅膜厚度为1～10μm的SOI硅片；热氧化温度为1050℃～1150℃。

8、按权利要求6所述用于光调制热成像系统的芯片，其特征在于铝膜或金膜与氧化硅厚度之比为0.1～1，铝膜或金膜与氮化硅厚度之比为0.2～1。