[发明专利]硅蓝宝石力敏传感器及其制备方法无效
| 申请号: | 02132826.9 | 申请日: | 2002-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN1399124A | 公开(公告)日: | 2003-02-26 |
| 发明(设计)人: | 段祥照 | 申请(专利权)人: | 段祥照 |
| 主分类号: | G01L9/04 | 分类号: | G01L9/04 |
| 代理公司: | 沈阳市科威专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刁佩德 |
| 地址: | 110015 辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蓝宝石 传感器 及其 制备 方法 | ||
1、一种硅蓝宝石力敏传感器,包括钛合金应力杯及组装其上的硅蓝宝石应变片、焊盘和引线座组件,其特征在于将硅蓝宝石应变片与钛合金应力杯静电封接或分子键合焊成一体,应变片实时测量刻阻后,外引线电极通过固定在绝缘体上的引线座组件与焊盘相接。
2、根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:固定引线座的绝缘体组装在与钛合金应力杯封接成一体的钛合金支撑套上,引线座上端固定外引线电极,引线座筒内连接固定在铂触盘上的带弹簧的镀金触头。
3、根据权利要求1所述的传感器,其特征在于:固定引线座的绝缘体直接与钛合金应力杯封接成一体,引线座一端固定外引线电极,另一端通过金丝连接铂触盘。
4、一种权利要求1所述硅蓝宝石力敏传感器的制备方法,其特征在于包括以下操作步骤:
将市售硅蓝宝石外延薄片进行离子掺杂;硅蓝宝石片进行退火与硅表面氧化,形成致密的SiO2层;按预定方向刻制应变电阻焊盘或触盘硅窗口;掩膜溅射铂;划片;将硅蓝宝石应变片采用静电封接或分子键合封接到应力杯上,构成一体;以应力杯内径为应力区,定位,进行实时测量刻阻;将事先预制好的引线座组件,按应力杯上的标记封装上,测试检验,即制成硅蓝宝石力敏传感器。
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