[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 02127233.6 | 申请日： | 2002-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1400672A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;小野田克明;中岛好史;村井成行;冨永久昭;平田耕一;榊原干人;石原秀俊 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/328 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：化合物半导体基板；设在该基板上的平坦的一导电型外延层；穿透所述外延层而设置的一导电型高浓度离子注入区域；第一电极，其在所述高浓度离子注入区域形成欧姆结；第二电极，其与所述外延层形成肖特基结；金属层，取出所述第一及第二电极。
2.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：化合物半导体基板；设在该基板上的平坦的一导电型高浓度外延层和一导电型外延层；穿透所述外延层直到所述高浓度外延层而设置的一导电型高浓度离子注入区域；在所述高浓度离子注入区域表面成欧姆结的第一电极；被所述第一电极围住外周、与所述外延层形成肖特基结的第二电极；取出所述第一及第二电极的金属层。
3.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述化合物半导体基板是非掺杂的GaAs基板。
4.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第二电极与所述高浓度离子注入区域的间隔距离是5μm以下。
5.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，设置多个所述第二电极形成的肖特基结区域。
6.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述高浓度离子注入区域从所述第一电极凸出设置。
7.一种肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于，包括：在预定的第一电极下的一导电型外延层形成一导电型的高浓度离子注入区域的工序；形成在所述高浓度离子注入区域表面成欧姆结的第一电极的工序；形成与所述外延层表面形成肖特基结的第二电极的工序；形成分别与所述第一电极及第二电极接触的金属层的工序。
8.一种肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于，包括：在非掺杂化合物半导体基板上层积一导电型高浓度外延层和一导电型外延层，形成从预定的第一电极下的所述外延层表面到达所述高浓度外延层的一导电型高浓度离子注入区域的工序；形成在所述高浓度离子注入区域表面成欧姆结的第一电极的工序；形成被所述第一电极围住外周并与所述外延层表面形成肖特基结的第二电极的工序；形成分别与所述第一及第二电极接触的金属层的工序。
9.如权利要求7或8所述的肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于，所述第二电极是依次蒸镀Ti/Pt/Au的多层金属层而形成的。
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