[发明专利]具有熔丝元件的半导体芯片无效

专利信息
申请号: 02124940.7 申请日: 2002-06-26
公开(公告)号: CN1393932A 公开(公告)日: 2003-01-29
发明(设计)人: 长谷川武裕 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 元件 半导体 芯片
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片,包括:

在芯片表面上配置的逻辑电路部;

在上述芯片表面上配置的、具有用于缺陷单元补救的冗余存储单元的至少一个宏存储部;

上述芯片表面上的、在上述逻辑电路部和上述宏存储部的外周配置的电极焊盘列;以及

上述芯片表面上的存储上述缺陷单元的地址的至少一个熔丝元件组,其配置在上述宏存储部和上述电极焊盘列的外侧的、沿该芯片的任一边的区域上。

2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于还包括:

上述芯片表面上的、在上述电极焊盘列的内侧二维状均匀配置的多个凸点。

3.一种半导体芯片,包括:

在芯片表面上配置的逻辑电路部;

在上述芯片表面上配置的、具有用于缺陷单元补救的冗余存储单元的至少一个宏存储部;

在上述逻辑电路部和上述宏存储部上方二维状均匀配置的多个凸点;以及

上述芯片表面上的存储上述缺陷单元的地址的至少一个熔丝元件组,其配置在配置上述多个凸点的区域的外侧的、沿该芯片的任一边的区域上。

4.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

在该电极焊盘列与上述芯片的边之间的没有上述熔丝元件组的区域上,沿该芯片的边配置上述电极焊盘列。

5.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

上述电极焊盘列形成为完全包围上述逻辑电路部和上述宏存储部。

6.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

在上述逻辑电路部和上述宏存储部的外周的一部分上形成上述电极焊盘列。

7.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

上述熔丝元件组有多个,这些熔丝元件组在该芯片表面上分散配置。

8.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

上述熔丝元件组有多个,这些熔丝元件组以该芯片表面中央为中心大致点对称地配置。

9.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

上述熔丝元件组远离该芯片的各角部而配置。

10.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

在该芯片表面上有多个上述宏存储部。

11.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

在该芯片表面上有多个上述宏存储部,

每个宏存储部独立地具有熔丝元件组,这些熔丝元件组相互之间以该芯片表面中央为中心大致点对称地配置。

12.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:

在该芯片表面上有多个上述宏存储部,

与上述多个宏存储部对应的熔丝元件组在一个区域上汇集形成。

13.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,上述熔丝元件组具有:

多个熔丝;

锁存上述各熔丝是否熔断的数据即熔丝数据的锁存电路;以及

暂时存储上述各熔丝的熔丝数据,同时把存储的多个熔丝数据依次传输到上述宏存储部的传输电路。

14.如权利要求13所述的半导体芯片,其特征在于还包括:

与上述熔丝元件组和上述宏存储部连接、可依次发送多个熔丝数据的信号线。

15.如权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于:

上述信号线是可依次发送上述熔丝元件组的全部熔丝数据的单独的线。

16.如权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于:

上述信号线借助于上述电极焊盘列与上述熔丝元件组和上述宏存储部连接,不通过上述电极焊盘的正下方,通过电极焊盘之间的间隙部。

17.如权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于:

上述信号线借助于上述电极焊盘列与上述熔丝元件组和上述宏存储部连接,通过上述电板焊盘的正下方,该电极焊盘用作键合焊盘。

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