[发明专利]具有熔丝元件的半导体芯片无效
申请号: | 02124940.7 | 申请日: | 2002-06-26 |
公开(公告)号: | CN1393932A | 公开(公告)日: | 2003-01-29 |
发明(设计)人: | 长谷川武裕 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 元件 半导体 芯片 | ||
1.一种半导体芯片,包括:
在芯片表面上配置的逻辑电路部;
在上述芯片表面上配置的、具有用于缺陷单元补救的冗余存储单元的至少一个宏存储部;
上述芯片表面上的、在上述逻辑电路部和上述宏存储部的外周配置的电极焊盘列;以及
上述芯片表面上的存储上述缺陷单元的地址的至少一个熔丝元件组,其配置在上述宏存储部和上述电极焊盘列的外侧的、沿该芯片的任一边的区域上。
2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于还包括:
上述芯片表面上的、在上述电极焊盘列的内侧二维状均匀配置的多个凸点。
3.一种半导体芯片,包括:
在芯片表面上配置的逻辑电路部;
在上述芯片表面上配置的、具有用于缺陷单元补救的冗余存储单元的至少一个宏存储部;
在上述逻辑电路部和上述宏存储部上方二维状均匀配置的多个凸点;以及
上述芯片表面上的存储上述缺陷单元的地址的至少一个熔丝元件组,其配置在配置上述多个凸点的区域的外侧的、沿该芯片的任一边的区域上。
4.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
在该电极焊盘列与上述芯片的边之间的没有上述熔丝元件组的区域上,沿该芯片的边配置上述电极焊盘列。
5.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
上述电极焊盘列形成为完全包围上述逻辑电路部和上述宏存储部。
6.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
在上述逻辑电路部和上述宏存储部的外周的一部分上形成上述电极焊盘列。
7.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
上述熔丝元件组有多个,这些熔丝元件组在该芯片表面上分散配置。
8.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
上述熔丝元件组有多个,这些熔丝元件组以该芯片表面中央为中心大致点对称地配置。
9.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
上述熔丝元件组远离该芯片的各角部而配置。
10.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
在该芯片表面上有多个上述宏存储部。
11.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
在该芯片表面上有多个上述宏存储部,
每个宏存储部独立地具有熔丝元件组,这些熔丝元件组相互之间以该芯片表面中央为中心大致点对称地配置。
12.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:
在该芯片表面上有多个上述宏存储部,
与上述多个宏存储部对应的熔丝元件组在一个区域上汇集形成。
13.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,上述熔丝元件组具有:
多个熔丝;
锁存上述各熔丝是否熔断的数据即熔丝数据的锁存电路;以及
暂时存储上述各熔丝的熔丝数据,同时把存储的多个熔丝数据依次传输到上述宏存储部的传输电路。
14.如权利要求13所述的半导体芯片,其特征在于还包括:
与上述熔丝元件组和上述宏存储部连接、可依次发送多个熔丝数据的信号线。
15.如权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于:
上述信号线是可依次发送上述熔丝元件组的全部熔丝数据的单独的线。
16.如权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于:
上述信号线借助于上述电极焊盘列与上述熔丝元件组和上述宏存储部连接,不通过上述电极焊盘的正下方,通过电极焊盘之间的间隙部。
17.如权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于:
上述信号线借助于上述电极焊盘列与上述熔丝元件组和上述宏存储部连接,通过上述电板焊盘的正下方,该电极焊盘用作键合焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的