[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备

权利要求书

1.半导体晶片，包括：

倾斜轮廓，沿着所述晶片的周边形成；

各个产品，形成在所述晶片上；和

ID标记，形成在所述倾斜轮廓上，并且包含数据，该数据包括所述产品的属性、生产条件和检测结果。

2.根据权利要求1的晶片，其中：

所述倾斜轮廓具有一表面，它的粗糙度大于所述产品形成在其上的所述晶片的表面的粗糙度。

3.根据权利要求1的晶片，其中：

在晶片厚度方向上的不同位置，所述ID标记重复地形成在所述倾斜轮廓上。

4.根据权利要求3的晶片，其中：

所述倾斜轮廓在所述晶片的第一主平面侧具有第一倾斜轮廓，而在所述晶片的第二主平面侧具有第二倾斜轮廓；并且    

所述ID标记形成在所述第一和第二倾斜轮廓的每个上。

5.根据权利要求3的晶片，其中：

所述ID标记形成在所述倾斜轮廓上确定的参考位置的每一侧。

6.根据权利要求5的晶片，其中：

所述参考位置是指示所述晶片的晶向的对象或标记。

7.根据权利要求6的晶片，其中：

所述对象或标记是所述晶片上形成的方向平面，槽口和铭刻之一。

8.根据权利要求5的晶片，其中：

所述ID标记包括一晶片ID标记，形成在所述参考位置一侧，以指示所述晶片的生产历史；和产品ID标记，形成在所述参考位置的另一侧，以指示所述产品的生产历史。

9.根据权利要求1的晶片，其中：

所述倾斜轮廓在所述晶片的第一主平面一侧具有第一倾斜轮廓，而在所述晶片与所述第一主平面相对的第二主平面一侧具有第二倾斜轮廓；并且

所述第一倾斜轮廓接收器件标记器做出的ID标记，所述第二倾斜轮廓接收由晶片标记器做出的包含制造号码的ID标记。

10.根据权利要求9的晶片，其中：

所述产品形成在所述晶片的第一主平面上。

11.半导体晶片，包括：

基础晶片；

绝缘层，布置在所述基础晶片上；

单晶硅层，布置在所述绝缘层上；

各个产品，形成在所述单晶硅层上；和

ID标记，形成在所述基础晶片上，并且包含数据，该数据包含所述产品的属性、生产条件和检测结果。

12.根据权利要求11的晶片，其中：

所述ID标记由用激光束形成的点做成。

13.根据权利要求11的晶片，其中：

所述ID标记形成在所述基础晶片的周边。

14.根据权利要求13的晶片，其中：

所述ID标记形成在倾斜轮廓上，该倾斜轮廓沿着所述基础晶片的周边形成。

15.一半导体晶片，包括：

圆形第一主平面，其上形成半导体器件；

倾斜轮廓，沿着所述晶片的周边形成；和

参考ID标记，形成在所述倾斜轮廓上，并且指示所述晶片的晶向。

16.根据权利要求15的晶片，其中：

所述参考ID标记是二维矩阵码，包括L形导向单元；并且

所述L形导向单元用作参考，以辨别所述晶片的晶向。

17.根据权利要求16的晶片，其中：

所述L形导向单元布置在所述第一主平面上的晶向线上。

18.根据权利要求15的晶片，其中：

倾斜轮廓包括所述晶片第一主平面侧的第一倾斜轮廓，和所述晶片与第一主平面相对的第二主平面侧的第二倾斜轮廓；并且

所述参考ID标记形成在所述第一和第二倾斜轮廓的每个上。