[发明专利]电容器下电极的结构

权利要求书

1.一种电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的俯视图呈一狭长形，该狭长形具有两端及两侧边，其中该两端皆呈一尖凸状，且该两侧边皆向内凹入。

2.如权利要求1所述的电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的材质包括多晶硅。

3.一种提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该方法包括：

在形成多个电容器下电极时，将其中每一个电容器下电极皆定义成俯视图呈一狭长形，且具有相同的指向，其中该狭长形具有两端及两侧边，该两端皆呈一尖凸状，且该两侧边皆向内凹入；以及

在形成该电容器下电极之后所进行的一清洗步骤中，使该清洗步骤中所使用的一清洗溶液的水流方向大致与该些电容器下电极的一长轴平行。

4.如权利要求3所述的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该些电容器下电极的材质包括多晶硅。

5.如权利要求3所述的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该清洗步骤为一用来清洗该些电容器下电极的表面。

6.如权利要求5所述的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该清洗溶液的组成包括去离子水、硫酸(H₂SO₄)与过氧化氢(H₂O₂)。