[发明专利]凸块底缓冲金属结构有效
| 申请号： | 02123300.4 | 申请日： | 2002-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1392607A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 宫振越;何昆耀 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷,王初 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凸块底 缓冲 金属结构 | ||
1.一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于：该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，该凸块底缓冲金属结构包括：
一金属层，配置在该焊垫上；以及
一缓冲金属结构，配置在该金属层及该焊料凸块之间，用以减少该金属层与该焊料凸块之间生成介金属化合物。
2.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构的熔点高于该焊料凸块的熔点，且该缓冲金属结构具有沾附性。
3.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构包括一缓冲金属层，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。
4.如权利要求3所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层包括一铅层，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。
5.如权利要求3所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层包括一铅层及一锡层，该铅层配置在该金属层上，该锡层配置在该铅层及该焊料凸块之间。
6.如权利要求3所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层包括一第一铅层、一锡层及一第二铅层，该第一铅层配置在该金属层上，且该锡层配置在该第一铅层上，并且该第二铅层配置在该锡层及该焊料凸块之间。
7.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构包括一微型凸块，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。
8.如权利要求7所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属结构还包括一锡层，其配置在该微型凸块及该焊料凸块之间。
9.如权利要求7所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该微型凸块的主要成分选自铅与锡铅合金的其中之一。
10.一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一基板的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于：该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，而该焊垫的主要成分为铜，该凸块底缓冲金属结构包括：
一金属层，配置在该焊垫上；以及
一缓冲金属层，配置在该金属层及该焊料凸块之间，用以减少该金属层与该焊料凸块之间生成介金属化合物。
11.如权利要求10所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层的熔点高于该焊料凸块的熔点，且该缓冲金属层具有沾附性，其主要成分为铅。
12.一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一基板的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于：该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，而该焊垫的主要成分为铜，该凸块底缓冲金属结构包括：
一缓冲金属层，配置在该焊垫及该焊料凸块之间，用以缓冲该焊垫与该焊料凸块之间生成介金属化合物。
13.如权利要求12所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于：该缓冲金属层的熔点高于该焊料凸块的熔点且该缓冲金属层具有沾附性，其主要成分为铅。
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