[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于：包括：

具有配置了至少一个元件的多个单元区域的主体衬底；

配置在所述主体衬底上的盖体；

设置在配置了所述多个单元区域中至少一个单元区域的所述元件的部位上，并被所述主体衬底和所述盖体所包围，被负压气氛或惰性气体气氛维持的空洞部；

设置在所述主体衬底和所述盖体之间，用于从外部空间来遮断所述空洞部的环状接合部。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：还包括：

形成在所述主体衬底上，并包围所述元件的第一环状膜；

形成在所述盖体上的第二环状膜；

所述环状接合部形成在所述第一和第二环状膜之间。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：

所述第一、第二环状膜的材料是从Al、In、Cu、Au、Ag、Ti、W、Co、Ta、Al-Cu合金、氧化膜中的至少一种中选择的材料。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于：

所述第一、第二环状膜的材料是彼此相同的材料。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

所述主体衬底由半导体所构成；

所述主体衬底上的所述元件和外部电路，通过在所述主体衬底内横贯所述环状接合部而形成的杂质扩散层来彼此电气连接。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的电子装置，其特征在于：

在所述盖体上设置有形成所述空洞部的凹部和包围该凹部的筒部；

在所述主体衬底上设置有与所述筒部配合的配合部。

7.根据权利要求1～5中任意一项所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置是从红外线传感器、压力传感器、加速度传感器以及真空晶体管中的任意一种中选择的元件。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置是红外线传感器；

在所述主体衬底上设置的元件是热电变换元件。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：

所述盖体具有Si衬底和设置在该Si衬底上的、具有小于1.1eV的带隙的半导体层。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：

所述盖体的最上层由形成了成为菲涅耳透镜的衍射晶格的Si层所构成。

11.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于：

所述电子装置是具有热电变换元件、用于支撑所述热电变换元件的支撑构件、和形成在所述支撑构件下方的第二空洞部的红外线检测传感器。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于：

所述第二空洞部内未设置从所述支撑构件延伸的柱或壁。

13.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于：

所述第二空洞部与所述空洞部连通。

14.根据权利要求1～5中任意一项所述的电子装置，其特征在于：

设置有多个所述环状接合部，使其包围所述多个单元区域。

15.一种电子装置的制造方法，其特征在于：包括：

准备具有配置了至少一个元件的多个单元区域的主体衬底和盖用衬底，在所述主体衬底以及所述盖用衬底中的至少一方上形成包围所述多个单元区域中至少一个单元区域的多个凹部的步骤(a)；

通过在所述主体衬底和所述盖用衬底之间施加按压力，在所述主体衬底和所述盖用衬底之间形成环状接合部，使所述多个凹部中的至少一部分凹部作为从外部空间遮断的空洞部而留下来的步骤(b)。

16.根据权利要求15所述的电子装置的制造方法，其特征在于：

在所述步骤(a)中，在所述主体衬底、盖用衬底上分别形成包围所述凹部的多个第一、第二环状膜；

在所述步骤(b)中，在所述第一、第二环状膜彼此之间形成所述环状接合部。

17.根据权利要求15所述的电子装置的制造方法，其特征在于：

所述步骤(b)是通过利用了氢键或金属键的接合、或常温接合来进行的。