[发明专利]磁头及其制造方法、磁头万向架组件和硬盘装置

说明书

技术领域

本发明涉及硬盘装置(在下文中简称“HDD”)中采用的薄膜磁头，更具体地说，涉及与高记录密度的磁记录媒体配合使用的薄膜磁头及其制造方法、使用这种薄膜磁头的磁头万向架组件以及使用这种薄膜磁头的HDD。

技术背景

磁头主要包括用于把信息记录在磁记录媒体上或者从其中再现的元件和基片，在基片上形成所述元件。这样配置磁头，使得元件与磁记录媒体表面上的磁迹部分相对，在记录或再现信息时，磁头(或基片)本身会自动以预定的间距悬浮在磁记录媒体上方。

随着HDD的记录密度变得越来越高，对薄膜磁头的性能要求也更高了。这些要求包括磁记录媒体上的磁迹应当更窄。为了得到磁头电磁转换效率的提高以响应上述要求，如何控制磁记录媒体与磁头之间的间距变得重要。现将简要地描述相关技术中磁头的结构、具有该结构的磁头的制造方法等。

图4表示从磁盘一侧看的磁头1的底面的示意图。图4中沿着线5-5的、尤其是关于元件部分的剖面的宏观图示于图5。磁头1包括元件部分22和滑杆20。元件部分22在诸如氧化铝碳化钛(ALTIC)的接近长方体的陶瓷板的顶部形成，并执行把信息记录在磁盘上和再现的操作。滑杆20由陶瓷板制成。

通过薄膜形成技术、薄膜加工技术等(全都用在例如半导体制造工艺中)在陶瓷板上形成元件部分22。如图5所示，元件部分22包括具有再现元件的再现元件部分22a和具有记录元件的记录元件部分22b。在陶瓷板101的一个端面上依次形成以下各层并对其进行加工，从而形成再现元件部分。这些层包括：由例如氧化铝制成的绝缘层102、由磁性材料制成的再现元件部分的下部屏蔽层103、由诸如氧化铝等绝缘材料制成的屏蔽缝隙层104、诸如MR(磁阻)元件等的再现元件105、与再现元件105电连接的电极层(未示出)以及由诸如氧化铝等绝缘材料制成的上部屏蔽缝隙层107。

依次在上部屏蔽缝隙层107上形成以下各层并对其加工，从而形成记录元件部分。这些层包括：记录元件用的下部磁极层108，该层108由磁性材料制成，还起到再现元件部分的上部屏蔽层的作用；由诸如氧化铝等绝缘材料制成的记录缝隙层109；由铜等导电体制成并由绝缘材料隔离的薄膜线圈112；以及由磁性材料制成的上部磁极层116。在形成这些层并对其加工之后，形成由氧化铝等制成的覆盖层117，于是完成了元件部分。

形成元件部分22之后，磁头1的底面或滑杆20的底面(图5中所示的板101的表面101a)被进一步加工，以便该底面对磁盘起到特定面或空气轴承面(下文简称“ABS”)的作用。特定面具有大体与板101上形成元件部分的端面垂直的位置关系。具体地说，ABS使磁头1这样工作，使得滑杆由于磁盘旋转产生的气流而以极小的间距悬浮于磁盘表面上方，漂浮量是固定的。在图中所示的实例中，凹进部分21b是通过离子铣技术铣削平面而形成的，而未进行铣削的其余部分则形成作为导轨21a的凸出部分。

通过完成上述加工，磁头1变得有可能浮在磁盘表面上一定高度处并保持。另一方面，为了在所需信号强度下对磁盘进行记录和再现，需要把有关再现元件的图中标为Mt的MR高度设置为预定值，或者把对记录元件标为St等的临界截面(throat)高度设置为预定值。一般，对滑杆20的底面进行抛光加工，以便把MR高度等设置为预定值。

按照常规，MR高度值等的精度是通过提高抛光滑杆20的底面(或板101的表面101a)时的加工精度来提高的。另外，导轨21a的平面度和粗糙度的精度是通过改善抛光条件的精度来提高的。磁盘和记录与再现元件之间的间距是通过提高这些值的精度、优化凹进部分21b的形状和改善凹进部分的加工精度来控制的。

如上所述，形成元件部分22之后，使MR高度等达到预定值的加工、使导轨表面21a平滑的加工等等，一般是通过利用例如金刚石磨浆和由软金属等构成的抛光轮进行抛光加工来完成的。但是，陶瓷板101、由诸如氧化铝等绝缘材料制成的薄膜部分102、104、107、109和117、诸如MR元件等的再现元件部分105和磁性薄膜103、108和116的抛光速度互不相同。因此，板表面101a和上述各薄膜的端面之间形成多个台阶。