[发明专利]制作荧光屏的方法无效
| 申请号： | 02121851.X | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1383174A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木健;古井浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01J9/20 | 分类号： | H01J9/20;H01J9/227 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 荧光屏 方法 | ||
1.一种通过转印法利用转印膜制作荧光屏的方法，该方法包括以下步骤：
第一步骤，通过转印法用至少具有其内层压的第一荧光层(13)的第一转印膜(1、1A)形成第一荧光区(51)；以及
第二步骤，通过转印法用至少具有其内层压的第二荧光层(23)的第二转印膜(2、2A)在除所述第一荧光层(13)所处区域之外的区域形成第二荧光区(52)。
2.如权利要求1所述的制作荧光屏的方法，其特征在于：
导电层(15)进一步层压在第一转印膜(1)上；
在第一步骤中，导电层(15)转印到第一荧光区(51)和第二荧光区(52)的形成区，而第一荧光层(13)转印到第一荧光区(51)的形成区上；及
在第二步骤中，第二荧光层(23)转印到第二荧光区(52)的形成区上，使其完全覆盖在第一步骤中所转印的导电层(15)上。
3.如权利要求1所述的制作荧光屏的方法，其特征在于：
第一导电层(15)进一步层压在第一转印膜(1)上，而第二导电层(25)进一步层压在第二转印膜(2A)上；
在第一步骤中，第一导电层(15)转印到第一荧光区(51)和第二荧光区(52)的形成区，而第一荧光层(13)转印到第一荧光区(51)的形成区上；以及
在第二步骤中，第二荧光层(23)和第二导电层(25)转印到第二荧光区(52)的形成区，使其完全覆盖在第一步骤中所转印的第一导电层(15)上。
4.如权利要求1所述的制作荧光屏的方法，其特征在于：
第一导电层(15A)进一步层压在第一转印膜(1)上，而第二导电层(25A)进一步层压在第二转印膜(2B)；
在第一步骤中，第一导电层(15A)至少转印到第一荧光区(51)的形成区上，而第一荧光层(13)转印到第一荧光区(51)的形成区上；以及
在第二步骤中，第二导电层(25A)和第二荧光层(23)转印到所述第二荧光区(52)的形成区，使其部分覆盖第一步中转印的第一导电层(15A)上。
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