[发明专利]用于ARS系统的器件隔离工艺流程有效
| 申请号： | 02120303.2 | 申请日： | 2002-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387088A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | H·李;C·－C·杨;P·哈特维尔 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 ars 系统 器件 隔离 工艺流程 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于原子分辨存储(ARS)系统(200)的器件隔离的方法，该方法包括：
在晶片衬底(220)和顶部有源硅(Si)层(330)之间形成(610，612)绝缘层(330)；
在顶部有源硅层(330)上部形成(614)相变层(323)；
在相变层(323)上沉积(616)掩模层(410)，其中该掩模层(410)被形成图形并且被有选择地蚀刻；以及
将掩模层(410)用作掩模蚀刻(624)顶部有源硅层(330)直到绝缘层(350)为止，由此，埋入顶部有源硅层(350)的器件(370)成为彼此电隔离。
2.权利要求1的方法，该方法还包括在相变层(323)上沉积保护(614)罩层。
3.权利要求1的方法，该方法还包括清除(626)掩模层(410)。
4.权利要求1的方法，其中形成绝缘层的步骤包括：
在晶片衬底(220)上的顶部有源硅层(330)下方进行氧离子注入(610)；和
加热氧以形成氧化物(612)。
5.权利要求1的方法，其中形成绝缘层的步骤包括：
在晶片衬底上用反掺杂质外延生长(610)硅；和加热反掺杂质(612)。
6.权利要求1的方法，其中沉积步骤包括用光刻法对掩模层(410)形成图形(618)。
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