[发明专利]形成倒装芯片式半导体封装的方法及其半导体封装和衬底

权利要求书

1、一种形成倒装芯片式半导体封装的方法，该方法包含以下步骤：

a)提供衬底，其第一表面具有多个隆起端子部分，其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面，每个隆起端子部分包含基部和自由端部，并且至少自由端部由具有第一回流温度的第一材料构成；

b)提供在第一表面上具有多个焊盘的半导体芯片，其中多个焊盘上具有凸起，每个凸起包含一基部和一自由端部，至少多个凸起的自由端部由第一材料构成；

c)提供下填化合物，其中下填化合物包含至少某种无机填充物以减小下填化合物的热膨胀系数；

d)在衬底上设置下填化合物；

e)在衬底上放置半导体芯片，下填化合物置于其间，其中多个凸起的自由端部靠着多个隆起端子部分的自由端部；和

f)以基本上第一回流温度回流半导体芯片、衬底和下填化合物，以便将至少多个凸起的自由端部和至少多个隆起端子部分的自由端部形成为互连。

2、根据权利要求1所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(b)包含提供具有在第一表面上的多个焊盘的半导体芯片的步骤，其中多个焊盘上具有凸起，每个凸起包含基部和自由端部，自由端部由第一材料构成，并且基部由第二材料构成，第二材料具有高于第一回流温度的第二回流温度。

3、根据权利要求1所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(b)包含提供具有在第一表面上的多个焊盘的半导体芯片的步骤，其中多个焊盘上具有凸起，每个凸起包含基部和自由端部，基部和自由端部由第二材料构成，第二材料具有高于第一回流温度的第二回流温度。

4、根据权利要求3所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(b)包含提供具有在第一表面上的多个焊盘的半导体芯片的步骤，其中多个焊盘上具有凸起，每个凸起包含基部和自由端部，基部包含内部分和外部分，内部分和外部分由第二材料构成，自由端部由第三材料构成，第三材料不同于第一和第二材料。

5、根据权利要求4所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(a)包含提供具有在第一表面上的多个隆起端子部分的衬底的步骤，其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面，每个隆起端子部分包含基部和自由端部，基部包含内部分和外部分，内部分和外部分由第二材料构成，自由端部由第一材料构成。

6、根据权利要求5所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(a)包含提供具有在第一表面上的多个隆起端子部分的衬底的步骤，其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面，每个隆起端子部分包含基部和自由端部，基部包含内部分和外部分，内部分由第二材料构成，外部分由第三材料构成，自由端部由第一材料构成。

7、根据权利要求4所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(b)包含提供具有在第一表面上的多个焊盘的半导体芯片的步骤，其中多个焊盘上具有凸起，每个凸起包含基部和自由端部，基部包含内部分和外部分，内部分由第二材料构成，外部分由第三材料构成，自由端部由第一材料构成。

8、根据权利要求3所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(a)包含提供具有在第一表面上的多个隆起端子部分的衬底的步骤，其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面，每个隆起端子部分包含基部和自由端部，基部包含内部分和外部分，内部分和外部分由第二材料构成，自由端部由第一材料构成。

9、根据权利要求8所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(a)包含提供具有在第一表面上的多个隆起端子部分的衬底的步骤，其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面，每个隆起端子部分包含基部和自由端部，基部包含内部分和外部分，内部分由第二材料构成，外部分由第三材料构成，第三材料不同于第一和第二材料，自由端部由第一材料构成。

10、根据权利要求1所述的形成倒装芯片式半导体封装的方法，其特征在于，步骤(a)包含提供具有在第一表面上的多个隆起端子部分的衬底的步骤，其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面，每个隆起端子部分包含基部和自由端部，自由端部由第一材料构成，基部由第二材料构成，第二材料具有高于第一回流温度的第二回流温度。