[发明专利]磁记录介质用玻璃基板及其制造方法有效
| 申请号: | 02119938.8 | 申请日: | 2002-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN1385833A | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
| 发明(设计)人: | 桥本润一;松野贤介;渡边武夫 | 申请(专利权)人: | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/82 | 分类号: | G11B5/82;G11B5/84 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈健全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记录 介质 玻璃 及其 制造 方法 | ||
发明领域
本发明涉及磁记录介质用玻璃基板和其制造方法。
背景技术
作为磁盘等的磁记录介质用基板,铝基板被广泛使用,但是随着笔记本/移动式个人电脑的普及,越来越高地要求磁盘更薄、磁盘的记录面的高密度化、对使用环境的变化的耐久性。为了对付这个要求,近年来,具有高耐冲击性、刚性和硬度、对使用环境环境的变化的高化学耐久性、且具有对记录面的高密度化所必需的、能够实现磁头的低浮上化的平坦度的玻璃基板被广地使用。
一般地,将环形的玻璃基板的内周端面和外周端面的尺寸调整为预定尺寸的研磨加工或者将倒角面形成预定形状的倒角加工等的机械加工中,通过附着在研磨砥石上的砥粒(abrasive grain)磨削玻璃而达到预定的尺寸或形状。
砥粒磨削玻璃的机理是通过附着在回转的磨削砥石上的砥粒撞击力而在玻璃基板的表面上产生裂纹,随着该裂纹的生长,微量的玻璃从玻璃基板的表面剥离。
然而,如果微量的玻璃的剥离是不完全时,在玻璃基板上残存微小的裂纹。在向玻璃基板表面成膜时产生的热冲击,或在将使用玻璃基板的磁记录介质组装入HDD(硬盘驱动器)中时产生的机械冲击,或由于组装了磁盘的笔记本型或移动型个人计算机的使用环境的变化产生的机械冲击或热冲击而在整个玻璃基板上分散应力时,该微量裂纹将几乎不生成,而另一方面,当上述机械的冲击或热冲击引起的应力集中在玻璃基板的一个地方、且该集中应力的地方是与微小裂纹残存的地方一致时,该微小裂纹将以相当高的速度生长。之后,该微小裂纹变成更大的裂纹,且该裂纹可引起使用玻璃基板的磁盘破损。
作为该微小裂纹残存的原因,其例子是附着在磨削砥石上的金刚石砥粒的形状不良或粒度太大,以及机械加工的磨削速度太大等等。
而且,由机械冲击或热冲击引起的应力是易于集中在内周端面和外周端面之一和倒角面的界面部分,另一方面,因为该界面部分是通过磨削砥石从其两侧加工,微小裂纹易于残存、因此,易于生成更大的裂纹。
另外,在主表面和倒角面的界面部分中,如果倒角面于主表面的角度是135°以下,在机械磨削加工时在主表面侧通过玻璃的剥离容易发生所谓碎屑。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够防止磁记录介质破损的磁记录介质用玻璃基板及其制造方法。
为了实现上述目的,在本发明的第一个方面,是提供一种环形法人磁记录介质用玻璃基板,其具备主表面、外周端面、内周端面、将所述主表面与所述外周端面和内周端面之一连接的倒角面,其中所述倒角面是相互连接的锥面部和环状曲面部构成,含有所述玻璃基板的中心轴的所述玻璃基板的横截面中,所述环状曲面部的外形线的长度与所述倒角面的外形线的长度的百分率比是预定值以上。
在本发明的第一个方面中,优选所述预定值是20%以上。
在本发明的第一个方面中,优选所述预定值是50%以上。
在本发明的第一个方面中,优选所述环状曲面部的外形线的曲率半径是0.10~0.50毫米。
在本发明的第一个方面中,优选所述环状曲面部的外形线的曲率半径是0.20~0.35毫米。
为了实现上述目的,在本发明的第二个方面,是提供一种环形的磁记录介质用玻璃基板,其具备主表面、外周端面、内周端面、将所述主表面与所述外周端面和内周端面之一连接的倒角面,其中所述倒角面和所述主表面之间所成的角度是钝角。
在本发明的第二个方面中,优选所述角度是136~165°。
在本发明的第二个方面中,优选所述角度是140~155°。
为了实现上述目的,在本发明的第三个方面,是提供一种环形的磁记录介质用玻璃基板的制造方法,其包含:形成主表面、外周端面和内周端面的圆盘加工步骤、对所述主表面与所述外周端面和内周端面之一间的角部进行倒角加工、由此形成本发明的第一个方面和第二个方面的磁记录介质用玻璃基板的倒角加工步骤。
在本发明的第三个方面中,优选地,在所述倒角加工步骤之后、还包含研磨所述主表面5微米以上的主表面研磨步骤、和研磨所述外周端面和所述内周端面5微米以上的端面研磨步骤。
在本发明的第三个方面中,所述玻璃基板的母玻璃是含有作为碱金属氧化物成分的Li2O和Na2O的至少之一的硅酸盐玻璃,在所述主表面研磨步骤后,优选还含有将所述主表面的表面层的碱金属成分替换成离子半径比所述碱金属氧化物成分的碱金属离子半径大的碱金属成分的化学增强处理步骤。
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