[发明专利]半导体器件及其制造方法和喷液设备

权利要求书

1.半导体器件，其中，在公共衬底上形成允许电流流到负载的开关元件和开关元件驱动电路，

其中，所述开关元件是第1绝缘栅晶体管，它包括：

位于第1导电类型的半导体衬底的一个主表面的第2导电类型的第1半导体区；

位于第1半导体区内的第1导电类型的第2半导体区；

介以绝缘膜，位于第2半导体区与第1半导体区之间的PN结终止的表面上的第1栅电极；

第2导电类型的第1源区，它位于所述第2半导体区中的所述第1栅电极的一个端部边上；和

第2导电类型的第1漏区，它位于所述第1半导体区内；和

其中，所述开关元件驱动电路包括特性与所述第1绝缘栅晶体管不同的第2绝缘栅晶体管。

2.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管构成电平移位电路，电平移位电路产生供给所述第1栅电极的驱动电压。

3.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管的漏区包括低杂质浓度区。

4.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管构成电平移位电路，电平移位电路产生供给所述第1栅的驱动电压，低杂质浓度区位于所述第2绝缘栅晶体管的漏区中。

5.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管是源跟随晶体管，它构成电平移位电路，电平移位电路产生经CMOS电路供给所述第1栅的驱动电压。

6.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管的阱电位与源电位和漏电位不同。

7.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管的漏区有低杂质浓度区，它将形成得比所述第1半导体区浅。

8.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管的漏区有低杂质浓度区，它的深度与所述第1半导体区的深度相同。

9.按权利要求1的半导体器件，其中形成的所述第2半导体区比所述第1半导体区深。

10.按权利要求9的半导体器件，其中，多个第1绝缘栅晶体管按矩阵设置，其间不设专门的元件隔离区。

11.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管是构成低压CMOS电路的第1导电类型的MOS晶体管。

12.按权利要求1的半导体器件，其中，所述开关元件驱动电路包括具有所述第2绝缘栅晶体管的低压CMOS电路和用所述低压CMOS电路控制的高压CMOS电路；和

其中，构成所述高压CMOS电路的第1导电类型的MOS晶体管是按与形成所述第1绝缘栅晶体管的工艺相同的工艺制成的DMOS晶体管。

13.按权利要求12的半导体器件，还包括电平移位电路，它产生经过所述高压CMOS电路供给所述第1栅电极的驱动电压。

14.按权利要求1的半导体器件，其中，所述第2绝缘栅晶体管包括在第2导电类型的所述阱区中形成的第1导电类型的源区和漏区。

15.按权利要求1的半导体器件，其中，用作所述负载的电-热转换器连接到所述开关元件的漏并被集成。

16.按权利要求1的半导体器件，其中，所述特性是选自阈值电压，击穿电压和衬底电流中的至少一种特性。

17.半导体器件，其中，在公共衬底上形成允许电流流到负载的开关元件和开关元件驱动电路，其中：

所述开关元件由DMOS晶体管构成；和

所述开关元件驱动电路包括MOS晶体管，它有与所述DMOS晶体管不同的特性。

18.按权利要求17的半导体器件，其中，所述MOS晶体管与所述DMOS晶体管的导电类型相同。

19.按权利要求17的半导体器件，其中，所述MOS晶体管的漏区包括低杂质浓度区。

20.按权利要求17的半导体器件，其中，所述MOS晶体管构成电平移位电路，电平移位电路产生供给所述DMOS晶体管的栅电极的驱动电压，低杂质浓度区位于漏区中。