[发明专利]半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，其特征在于包括：

由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底；

具有从上述表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜的第一元件形成区域；

具有从上述表面埋入到比上述第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜的第二元件形成区域；

从上述表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成的第三元件形成区域。

2.根据权利要求1的半导体晶片，其特征在于上述第一和第二埋置绝缘膜的一部分从上述表面侧看去相互重叠。

3.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：

准备由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底；

在上述表面上形成在第一元件形成区域中有开口的第一耐离子注入膜；

经上述第一耐离子注入膜将氧离子选择地注入到上述第一元件形成区域的规定深度处；

在上述表面上形成在第二元件形成区域中有开口的第二耐离子注入膜；

经上述第二耐离子注入膜将氧离子选择地注入到上述第二元件形成区域的比上述第一元件形成区域浅的位置处；

加热上述半导体衬底使注入的氧原子和硅原子起反应。

4.根据权利要求3的半导体晶片制造方法，其特征在于上述第一和第二耐离子注入膜的开口的一部分从上述表面侧看去相互重叠。

5.一种半导体器件，其特征在于包括：

由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底；

具有从上述表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜的第一元件形成区域；

具有从上述表面埋入到比上述第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜的第二元件形成区域；

从上述表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成的第三元件形成区域；

在上述第一到第三元件形成区域的每一个上形成的用途不同的半导体元件。

6.根据权利要求5的半导体器件，其特征在于上述第三元件形成区域上配置的上述半导体元件将上述背面作为电流路径的一端。

7.根据权利要求6的半导体器件，其特征在于上述第三元件形成区域上配置的上述半导体元件是具有经上述背面将流过上述电流路径的过剩电流释放到外部的用途的保护二极管。

8.根据权利要求7的半导体器件，其特征在于上述保护二极管具有在上述半导体衬底上部配置的第一导电类型的阳极区域和在该阳极区域的下方配置的阴极埋置区域。

9.根据权利要求6的半导体器件，其特征在于上述用途不同的半导体元件包括在上述第一元件形成区域上配置的双极晶体管、在上述第二元件形成区域上配置的MOS型晶体管和在上述第三元件形成区域上配置的具有经上述背面将流过上述电流路径的过剩电流释放到外部的用途的保护二极管。

10.根据权利要求9的半导体器件，其特征在于上述双极晶体管具有在上述表面上配置的第一导电类型的基极区域、在该基极区域上部配置的第二导电类型的发射极区域、在上述基极区域和上述第一埋置绝缘膜之间配置的第二导电类型的集电极引出埋置区域；

上述MOS型晶体管具有在上述表面与上述第二埋置绝缘膜之间配置的第一导电类型的阱区、在该阱区上部配置的第二导电类型的源极区域和漏极区域、在该源极区域和漏极区域之间的上述半导体衬底上方配置的栅极；

上述保护二极管具有在上述半导体衬底上部配置的第一导电类型的阳极区域、在该阳极区域的下方配置的阴极埋置区域。

11.根据权利要求5的半导体器件，其特征在于上述第一和第二埋置绝缘膜的一部分从上述表面侧看去相互重叠。

12.根据权利要求11的半导体器件，其特征在于上述第三元件形成区域上配置的上述半导体元件将上述背面作为电流路径的一端。

13.根据权利要求12的半导体器件，其特征在于上述第三元件形成区域上配置的上述半导体元件是具有经上述背面将流过上述电流路径的过剩电流释放到外部的用途的保护二极管。

14.根据权利要求13的半导体器件，其特征在于上述保护二极管具有在上述半导体衬底上部配置的第一导电类型的阳极区域和在该阳极区域的下方配置的阴极埋置区域。