[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底；

与上述半导体衬底分离开来配置且由第1磁性层和第1非磁性层形成的第1磁阻效应器件，上述第1磁性层和上述第1非磁性在对上述半导体衬底垂直的方向上形成。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，上述第1磁阻效应器件跨接多个单元进行连接。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，上述第1磁阻效应器件一个单元一个单元地进行分断。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

与上述半导体衬底分离开来进行配置且在第1方向上延伸的第1布线；

与上述第1布线分离开来配置且在与第1方向不同的第2方向上延伸第2布线，上述第1磁阻效应器件分别与上述第1和第2布线分离开来进行配置。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，上述第1磁阻效应器件跨接多个单元进行连接。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，上述第1磁阻效应器件一个单元一个单元进行分断。

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，还具备：与上述第2布线分离开来进行配置且在上述第2方向上延伸的与上述第1磁阻效应器件进行连接的第3布线。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

与上述半导体衬底分离开来配置且在第1方向上延伸的第1布线；

与上述第1布线分离开来配置且在与上述第1方向不同的第2方向上延伸的第2布线；

与上述第2布线设置有第1间隔地进行配置且与上述第1布线分离开来配置的在上述第2方向上延伸的第4布线，上述第1磁阻效应器件在上述第1间隔内被配置为分别与上述第1、第2和第4布线分离开来。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，上述第1磁阻效应器件跨接多个单元进行连接。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，上述第1磁阻效应器件一个单元一个单元地进行分断。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，还具备：被配置为与上述第2布线分离开来且在上述第2方向上延伸的与上述第1磁阻效应器件进行连接的第3布线。

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

被配置为与上述半导体衬底分离开来且在第1方向上延伸的第1布线；

被配置为与上述第1布线分离开来且在与上述第1方向不同的第2方向上延伸的第2布线；

被配置为与上述第2布线设置有第1间隔且被配置为与上述第1布线分离开来的在上述第2方向上延伸的第4布线，上述第1磁阻效应器件在上述第1间隔内被配置为分别与上述第1、第2和第4布线分离开来；

在上述第1间隔内被设置为与上述第1、第2和第4布线以及上述第1磁阻效应器件分离开来且用第2磁性层和第2非磁性层形成的第2磁阻效应器件，上述第2磁性层和上述第2非磁性层在对上述半导体衬底垂直的方向上形成。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，上述第1和第2磁阻效应器件跨接多个单元进行连接。

14.根据权利要求12所述的半导体存储装置，上述第1和第2磁阻效应器件一个单元一个单元地进行分断。

15.根据权利要求12所述的半导体存储装置，由上述第1磁性层和上述第1非磁性层形成的第1叠层构造，与由上述第2磁性层和上述第2非磁性层形成的第2叠层构造，以上述第1和第2磁阻效应器件为边界是线对称的。

16.根据权利要求12所述的半导体存储装置，还具备：被配置为与上述第2布线分离开来，在上述第2方向上延伸，与上述第1磁阻效应器件进行连接的第3布线。

17.根据权利要求12所述的半导体存储装置，还具备配置在上述第1和第2磁阻效应器件之间，连接到上述第1和第2磁阻效应器件以及上述第1布线上的接触。

18.根据权利要求17所述的半导体存储装置，上述第1和第2磁阻效应器件、上述接触的至少一方，跨接多个单元地进行连接。