[发明专利]离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法无效
| 申请号： | 02113088.4 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1383162A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张荣;徐剑;修向前;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/00;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 法制 aln 稀释 磁性 半导体材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1、离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法，其特征是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。
2、由权利要求1所述的离子注入法制备稀释磁性半导体薄膜材料的方法，其特征是注入磁性离子的注入浓度每立方厘米在7×1020～2×1022。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02113088.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：均载盘传动结构
- 下一篇：海岛超细复合纤维纺丝工艺
