[发明专利]一种磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法

权利要求书

1、一种在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法，其特征在于利用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置实现垂直各向异性，具体步骤如下：在玻璃或硅的衬底上，用真空镀膜方法交替沉积铁磁/反铁磁层构成调制结构多层膜，膜层的周期数为5-100，铁磁层的厚度为0.1--10纳米，反铁磁层厚度为1-99纳米；再在多层膜上覆盖一层抗氧化层；然后对多层膜样品进行磁场冷却，其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向，从高于反铁磁层的奈尔温度降到低于反铁磁层的奈尔温度，外加磁场需使得铁磁层的磁化强度能够沿法线方向饱和磁化。

2、根据权利要求1所述的在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法，其特征在于在沉积多层膜之前，在衬底上先沉积一层厚度为1-99纳米的缓冲层，缓冲层采用能使得反磁铁层实现交换偏置的材料。

3、根据权利要求1所述的在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法，其特征在于所述的磁铁层为Fe、Co、Ni、稀土金属及其合金。

4、根据权利要求1所述的在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法，其特征在于所述的反磁铁层为能够存在交换偏置的反磁铁材料。

5、根据权利要求1所述的在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法，其特征在于缓冲层采用使反磁铁层能够实现交换偏置的材料，具体为Cu、Au、Ag、Ta及Cr之一种。

6、根据权利要求1所述的在磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法，其特征在于抗氧化层采用Cu、SiO₂、Au、Ta之一种。