[发明专利]平面光延迟器的设计方法及结构无效

专利信息
申请号: 02110871.4 申请日: 2002-02-21
公开(公告)号: CN1367397A 公开(公告)日: 2002-09-04
发明(设计)人: 刘坚;施斌;樊永良;赵登涛;蒋最敏;王迅 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;H04B10/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 平面 延迟 设计 方法 结构
【权利要求书】:

1、一种平面光延迟器的设计方法,其特征在于根据传输矩阵的方法设计周期性的多层膜系,然后在膜系中间加入多个光学厚度与周期层厚度不同的其他膜层,从而引入多个缺陷层;调节缺陷层的参数,使得局域态对应的共振透射峰的波长刚好是工作波长λ0,利用各个缺陷态之间的相互耦合,使得透射峰在很大的频谱范围内被展宽;上述设计中,多层膜系的两端分别为2-3个周期正常膜系,而在膜系的中间则为N+1个缺陷层和KN个正常膜系交替的结构,缺陷层的光学厚度与周期层的不同或是沉积一层与周期层材料不同的膜层,K≥4,N为缺陷层个数,N取5~200。

2、根据权利要求1所述的平面延迟器的设计方法,其特征在于K=4。

3、根据权利要求1所述方法设计的平面光延迟器结构,为一周期性多层膜系,其特征在于在多层膜系中间加入有多个光学厚度与周期层厚度不同的缺陷层,使得局域态对应的共振透射峰的波长刚好是工作波长λ0;其中,多层膜系的两端分别为2-3个周期的正常膜系,在膜系中间为N+1个缺陷层和KN个正常膜系交替的结构,这里,N为缺陷层个数,N取5~200,K为两缺陷层之间正常结构周期数,K≥4。

4、根据权利要求3所述的平面光延迟器,其特征在于K为4~8。

5、根据权利要求3所述的平面光延迟器,其特征在于K=4。

6、根据权利要求5所述的平面光延迟器,其特征在于所述的多层膜系由多晶Si层和非晶SiO2层交替组成,缺陷层为非晶SiO2层,其中,多晶Si和非晶SiO2的厚度分别是0.008μm-0.4μm和0.02μm-1.0μm,其中的缺陷层为非晶的SiO2层,厚度为0.04μm-2.0μm。

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