[发明专利]一种液晶显示器阵列衬底的制造方法无效
申请号: | 02108754.7 | 申请日: | 2002-03-29 |
公开(公告)号: | CN1379277A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
发明(设计)人: | 黄旷兆;金佑炫 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G03F7/20;G03F7/26 |
代理公司: | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐金国,陈红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示器 阵列 衬底 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示器阵列衬底的制造方法,包括以下步骤:
在一衬底上形成一选通线和一栅极;
在该衬底上形成一选通绝缘层;
在该选通绝缘层上形成一有源层和一欧姆接触层;
在该衬底上形成一数据线、一源极和一漏极;
通过在该衬底上淀积绝缘材料形成一钝化层;
通过对该钝化层制作图案形成一漏极接触孔,该漏极接触孔露出漏极的一部分;
在该钝化层上形成一透明金属层;
在该透明金属层上形成一阻光层;
通过将一掩模设置在阻光层之上来执行一曝光过程,该掩模包括一阻光部分、一缝部分和一透光部分;和
通过对曝光的阻光层进行显影和对所曝光的透明金属层进行蚀刻,形成一象素电极。
2.根据权利要求1的方法,其中该掩模的阻光部分对应于象素电极,该掩模的透光部分对应于有源层,源极和漏极以及缝部分对应于数据线。
3.根据权利要求1的方法,其中该象素电极与相邻象素电极之间的距离为2到3.5微米。
4.根据权利要求1的方法,其中数据线的宽度为6到7.5微米。
5.根据权利要求1的方法,其中该缝部分具有至少两条缝。
6.根据权利要求5的方法,其中缝的宽度为1.2微米。
7.根据权利要求5的方法,其中该缝与相邻缝之间的距离为0.5微米。
8.一种显示器薄膜晶体管阵列衬底的制造方法,包括以下步骤:
通过淀积和蚀刻第一导电层,在一衬底上形成多条选通线和多个栅极;
在该衬底上形成一选通绝缘层,以覆盖该多条选通线和多个栅极;
在该选通绝缘层上形成多个岛形有源层和多个岛形欧姆接触层;
通过淀积和蚀刻第二导电层,在该选通绝缘层、多个有源层和多个欧姆接触层上形成多条数据线、多个源极和多个漏极;
通过在该选通绝缘层上淀积和蚀刻一绝缘材料,形成一钝化层以覆盖多条数据线、多个源极和多个漏极,该钝化层具有多个接触孔,这多个接触孔用来暴露至少一个导电层;
在该钝化层上形成与多条数据线相交叠的多个象素电极,至少两个相邻象素电极之间的空间小于3.5微米。
9.根据权利要求8的方法,其中该象素电极与相邻象素电极之间的距离为2到3.5微米。
10.根据权利要求8的方法,其中数据线的宽度是6到7.5微米。
11.根据权利要求8的方法,其中采用一掩模形成多个象素电极,该掩模包括一阻光部分、一缝部分和一透光部分。
12.根据权利要求11的方法,其中该掩模的阻光部分对应于该象素电极,该掩模的透光部分对应于有源层,源极和漏极以及该缝部分对应于数据线。
13.根据权利要求11的方法,其中该缝部分具有至少两条缝。
14.根据权利要求13的方法,其中缝的宽度为1.2微米。
15.根据权利要求13的方法,其中缝与缝之间的距离为0.5微米。
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