[发明专利]半导体封装及其制造方法无效
| 申请号： | 02108720.2 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1385900A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 舩仓宽;细美英一;小盐康弘;长冈哲也;永野顺也;大井田充;福田昌利;黑须笃;河合薰;山方修武 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/28;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.半导体封装，其特征在于：
具备：
(a)封装基材，
(b)在上述封装基材上边形成，在往别的装置上安装时使用的安装端子，
(c)在上述封装基材上边形成，与上述安装端子电连的布线层，
(d)装载在上述封装基材上边，与上述布线层电连的半导体芯片，
(e)在上述布线层与模铸树脂层之间和在上述封装基材与模铸树脂层之间形成的低弹性树脂层，
(f)密封上述封装基材、上述布线层、上述半导体芯片和上述低弹性树脂层的模铸树脂层，
上述低弹性树脂层的弹性模量比上述模铸树脂层的弹性模量低。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：上述低弹性树脂层仅仅在上述布线层与上述模铸树脂层之间形成。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于：上述低弹性树脂层至少在位于上述安装端子上边的上述布线层与上述模铸树脂层之间形成。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于：上述低弹性树脂层至少在位于会发生最大应力的上述安装端子上边的上述布线层与上述模铸树脂层之间形成。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：上述布线层与上述半导体芯片之间的电连部分，用内填充树脂层密封。
6.一种半导体封装的制造方法，其特征在于：
(a)在封装基材上边形成布线层，
(b)把半导体芯片电连接到上述布线层上，
(c)在上述封装基材和上述布线层上边，形成弹性模量比模铸树脂还低的低弹性树脂层，
(d)在上述封装基材、上述布线层、上述半导体芯片和上述低弹性树脂层的上边，形成模铸树脂层。
7.根据权利要求6所述的半导体封装制造方法，其特征在于：上述低弹性树脂层仅仅在上述布线层与上述模铸树脂层之间形成。
8.根据权利要求7所述的半导体封装制造方法，其特征在于：上述低弹性树脂层至少在位于上述安装端子上边的上述布线层与上述模铸树脂层之间形成。
9.根据权利要求8所述的半导体封装制造方法，其特征在于：上述低弹性树脂层至少在位于会发生最大应力的上述安装端子上边的上述布线层与上述模铸树脂层之间形成。
10.根据权利要求6所述的半导体封装制造方法，其特征在于：上述布线层与上述半导体芯片之间的电连部分，用内填充树脂层密封。
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