[发明专利]氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 02108234.0 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1379483A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 高桥宏和;太田启之;渡边温 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
1、一种氮化物半导体器件，包括由III族类氮化物半导体制成的半导体层和用于向该半导体层提供载流子的金属电极，所述器件包括：
第一接触层，由III族类氮化物半导体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1，0＜y≤1)制成，它沉积在所述半导体层和所述金属电极之间，并具有被加入到所述III族类氮化物半导体的II族类元素；及
第二接触层，由III族类氮化物半导体Alx’Ga1-x’N(0≤x’≤1)制成，并被沉积在所述第一接触层和所述金属电极之间。
2、根据权利要求1的氮化物半导体器件，其中，II族类元素被加入到所述第二接触层。
3、根据权利要求1或2的氮化物半导体器件，其中，所述第二接触层具有的厚度为500或更小。
4、根据权利要求1至3中任一项的氮化物半导体器件，其中，所述的II族类元素是镁。
5、根据权利要求1至4中任一项的氮化物半导体器件，其中，所述第一接触层是InyGa1-yN(0.05≤y≤0.4)。
6、根据权利要求1至5中任一项的氮化物半导体器件，其中，所述第一接触层具有10至1000之范围中的厚度。
7、根据权利要求1至6中任一项的氮化物半导体器件，其中，所述的氮化物半导体器件是一种发光器件。
8、根据权利要求1的氮化物半导体器件，其中，II族类元素至少被加入到所述第二接触层，对包括被沉积在所述半导体层上的第一和第二接触层的层进行热退火处理，以产生p型传导性。
9、根据权利要求8的氮化物半导体器件，其中，所述的II族类元素是镁。
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