[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02108203.0 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1378285A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 广川正彦;松浦研;高木雅和 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/786;H02M7/217 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，它包括：
包括主开关的第一场效应晶体管；
第二场效应晶体管，其漏极和源极连接到所述第一场效应晶体管的栅极和源极；以及
其外表面带有外部端子的封壳，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管设置在该封壳里面。
其中，所述外部端子与所述第一和第二场效应晶体管的漏极、源极或栅极连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一和所述第二场效应晶体管形成在单一芯片上。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一和所述第二场效应晶体管形成在分开的芯片上。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件还包括形成在所述封壳中的第三场效应晶体管，其源极连接到所述第一场效应晶体管的栅极、其栅极连接到所述第二场效应晶体管的栅极、而其漏极连接到所述外部端子。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件用作开关器件和整流器件中的一种器件。
6.一种具有同步整流器电路的DC-DC变换器，其中，所述同步整流器电路包括含有半导体器件的整流器件，所述半导体器件包括：
包括主开关的第一场效应晶体管；
第二场效应晶体管，其漏极和源极连接到所述第一场效应晶体管的栅极和源极；以及
其外表面带有外部端子的封壳，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管设置在所述封壳里面；
其中，所述外部端子与所述第一和第二场效应晶体管的漏极、源极或栅极连接。
7.如权利要求6所述的DC-DC变换器，其特征在于：所述第一和所述第二场效应晶体管形成在单一芯片上。
8.如权利要求6所述的DC-DC变换器，其特征在于：所述第一和所述第二场效应晶体管形成在分开的芯片上。
9.如权利要求6所述的DC-DC变换器，其特征在于：所述半导体器件还包括形成在所述封壳中的第三场效应晶体管，其源极连接到所述第一场效应晶体管的栅极、其栅极连接到所述第二场效应晶体管的栅极、而其漏极连接到所述外部端子。
10.如权利要求6至9中任一项所述的DC-DC变换器，其特征在于：所述半导体器件用作开关器件和整流器件中的一种器件。
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