[发明专利]一种制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

通过用激光照射对非晶半导体薄膜进行晶化以形成具有翘曲的结晶半导体薄膜；

加热半导体薄膜以减少翘曲；

加热步骤后蚀刻结晶半导体薄膜以形成结晶半导体岛。

2.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

通过用激光照射对非晶半导体薄膜进行晶化以形成具有翘曲的结晶半导体薄膜；

蚀刻结晶半导体薄膜以形成结晶半导体岛；

加热结晶半导体岛以减少翘曲。

3.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

通过用激光照射对非晶半导体薄膜进行晶化以形成具有翘曲的结晶半导体薄膜；

在500℃或更高温度加热结晶半导体薄膜以减少翘曲。

4.根据权利要求1的方法，

其中结晶半导体薄膜在500℃或更高的温度范围加热。

5.根据权利要求2的方法，

其中结晶半导体岛在500℃或更高的温度范围加热。

6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

将金属元素加入非晶半导体薄膜中；

第一次加热非晶半导体薄膜以形成第一结晶半导体薄膜；

用激光照射第一结晶半导体薄膜以形成具有翘曲的第二结晶半导体薄膜；

用高于第一次加热步骤的温度第二次加热第二半导体薄膜以减少翘曲。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

将金属元素加入非晶半导体薄膜中；

第一次加热非晶半导体薄膜以形成第一结晶半导体薄膜；

用激光照射第一结晶半导体薄膜以形成具有翘曲的第二结晶半导体薄膜；

以高于第一次加热步骤的温度第二次加热第二半导体薄膜以减少翘曲；

在第二次加热步骤后蚀刻第二结晶半导体薄膜以形成结晶半导体岛。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

将金属元素加入非晶半导体薄膜中；

第一次加热非晶半导体薄膜以形成第一结晶半导体薄膜；

用激光照射第一结晶半导体薄膜以形成具有翘曲的第二结晶半导体薄膜；

刻蚀第二结晶半导体薄膜以形成结晶半导体岛；

以高于第一次加热步骤的温度第二次加热结晶半导体岛以减少翘曲。

9.根据权利要求1的方法，

其中激光器选自如下组激光器中的一个，该组包括脉冲振荡型准分子激光器、脉冲振荡型YAG激光器、脉冲振荡型YVO₄激光器、脉冲振荡型YAlO₃激光器、脉冲振荡型YLF激光器、连续发射型准分子激光器、连续发射型YAG激光器、连续发射型YVO₄激光器、连续发射型YAlO₃激光器以及连续发射型YLF激光器。

10.根据权利要求1的方法，

其中激光在照射面上具有选自包括矩形和线形的组的至少一种形状。

11.根据权利要求1的方法，

其中在加热步骤中使用退火炉。

12.根据权利要求1的方法，

其中在加热步骤中照射灯光。

13.根据权利要求1的方法，

其中在加热步骤中结晶半导体薄膜被加热1-30分钟。

14.根据权利要求12的方法，

其中灯光从选自包括衬底上侧和下侧的组中的至少一侧照射。

15.根据权利要求12的方法，

其中灯光用从包括卤素灯、金属卤化物灯、氙弧光灯、碳弧光灯、高压钠灯以及高压汞灯的组中选出的至少一种灯中照射。

16.根据权利要求12的方法，

其中利用每分钟30～300℃的温度升高或温度降低速率进行灯光照射。

17.根据权利要求6的方法，

其中在第二次加热步骤中使用退火炉。

18.根据权利要求6的方法，

其中在第二次加热步骤中照射灯光。