[发明专利]化学汽相沉积装置和化学汽相沉积方法

权利要求书

1.一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、排列使得加料到管式反应器的原料气的方向与基片基本平行的原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧。

2.根据权利要求1的化学汽相沉积装置，其中所述倾斜管式反应器壁部分定位使得倾斜管式反应器壁部分的上游侧端部位于原料气加入部分的气体加料口与对应于基座所用原料气通道的上游侧端部的位置之间，且倾斜管式反应器壁部分的下游侧端部位于对应于基座所用原料气通道的上游侧端部的位置与对应于基座所用原料气通道的下游侧端部的位置之间。

3.根据权利要求1的化学汽相沉积装置，其中所述倾斜管式反应器壁部分在原料气通道方向上的长度为基座直径的0.2-1.5倍。

4.根据权利要求1的化学汽相沉积装置，其中所述倾斜管式反应器壁部分的倾斜角度为相对原料气通道方向0.1-10度。

5.根据权利要求1的化学汽相沉积装置，其中所述水平管式反应器进一步在倾斜管式反应器壁部分的下游侧的管式反应器壁上配有一个具有气体渗透性的多微孔部分、和一个用于将没有原料气的气体由所述多微孔部分供给管式反应器内部的加入孔。

6.根据权利要求1的化学汽相沉积装置，其中所述水平管式反应器的表面由作为构成材料的石英制成。

7.一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、排列使得加料到管式反应器的原料气的方向与基片基本平行的原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。

8.根据权利要求7的化学汽相沉积装置，其中基座与其对面的管式反应器壁的间隔平均为在管式反应器壁中由原料气加入部分中的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔的20-99％。

9.根据权利要求7的化学汽相沉积装置，其中，在原料气加入部分的气体加料口与基座所用原料气通道的上游侧端部之间的位置上，在管式反应器壁中由用于原料气通道的上游侧至下游侧的垂直间隔变得较小，而且基座与其对应的管式反应器壁部分之间的间隔在其中排列有基座的地方变得恒定。

10.根据权利要求9的化学汽相沉积装置，其中基座与其对面的管式反应器壁之间的间隔为在原料气加入部分的气体加料口处的管式反应器壁垂直间隔的10-98％。

11.根据权利要求7的化学汽相沉积装置，其中所述水平管式反应器进一步在与基座相对的管式反应器壁上配有一个具有气体渗透性的多微孔部分、和一个用于将没有原料气的气体由所述多微孔部分供给管式反应器内部的加入孔。

12.根据权利要求1或7的化学汽相沉积装置，其中所述装置具有其中在基座上安装有多个基片的结构。

13.根据权利要求1或7的化学汽相沉积装置，其中所述装置具有其中在基座上安装有尺寸至少为4英寸(约101.6毫米)的大尺寸基片的结构。

14.根据权利要求1或7的化学汽相沉积装置，其中所述装置的结构使得原料气加入部分被分隔板或喷嘴分隔成上气体通道和下气体通道。

15.根据权利要求14的化学汽相沉积装置，其中原料气通道中的上气体通道是用于供给包含三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三乙基铟、三甲基铝、或三乙基铝的气体的通道，而原料气通道中的下气体通道是用于供给氨、单甲基肼、二甲基肼、叔丁基肼、或三甲基胺的通道。

16.一种化学汽相沉积方法，包括，在水平管式反应器中将基片安装在基座上，用加热器加热该基片，然后在基本上平行于基片的方向上向基片供给包含原料气的气体以将半导体膜在所述基片上进行化学汽相沉积，其中气流方向通过这样一种结构而改变为倾斜向下的方向：与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧。