[发明专利]卟啉化合物及利用它的电子照相感光单元、照相版盒及设备

说明书

发明领域及相关技术

本发明涉及一种卟啉化合物，包括具有一种新晶形的卟啉根合-锌(porphyrinato-zinc)化合物，一种利用该卟啉化合物的电子照相感光单元，一种照相版盒(process-cartridge)及一种包括该感光单元的电子照相设备。

目前用作电子照相设备的曝光源的激光器主要是具有振动波长约800纳米或680纳米的半导体激光器。

近年来，已经提出了达到较高分辨率的各种方法，以便符合对产出较高质量图像的不断增长的需求。实现高分辨率的激光波长也受到关注，较短激光振荡波长可使激光光点直径更小，有利于形成高分辨率的静电潜像。

对于获得较短激光振荡波长，已经提出有各种建议。

一种建议是利用二次谐波生成(SHG)使激光波长缩短一半(JP-A9-275242、JP-A 9-189930及JP-A 5-313033)。按照这些建议，可采用在技术已确定并能输出高功率的GaAs激光器及YAG激光器，作为主光源，从而能够实现较长的寿命或较大的输出功率。

另一建议是利用宽隙半导体，它可使设备尺寸比利用二次谐波生成的设备更小。对于利用ZnSe半导体(JP-A 7-321409及JP-A6-334272)和GaN半导体(JP-A 8-88441及JP-A 7-335975)的激光器，由于其发光效率高，已有很多研究。

这种半导体激光器已经引起在设备结构、晶体生长条件、电极等方面最佳化的困难，而且由于晶体缺陷出现等原因，在室温下的长期振动已经受到限制，而室温对商业化是基本的要求。

但是，随着基片技术等的革新，据报导，Nichia Kagaku Kogyo K.K.公司于1997年10月，对GaN半导体激光器(在50℃下)连续振荡达到了1150小时，其商业化成功在即。

另一方面，对于装备常规激光器的电子照相设备中所用的电子照相感光单元，已经使用了具有宽的吸收谱带及表现出的实际灵敏度特性在约700-800纳米的电荷产生材料，作为具体实例，包括非金属酞菁，铜酞菁以及含氧钛(oxytitanium)酞菁。

但是，对于长波长激光器，这种电荷产生物质没有足够的约400-500纳米的吸收谱带，或即使有，在稳定呈现足够灵敏度方面也因其强波长相关性，而遭遇困难。

JP-A 9-240051披露了一种电子照相感光单元，为单层型感光层或叠层型感光层，包括利用电荷产生材料的电荷产生层，电荷产生材料包括一种α型含氧钛酞菁，作为适于400-500纳米激光的电子照相感光单元。但是，按照我们的研究，使用这种电荷产生材料，不仅灵敏度低，而且还因其对约400纳米光存储容量非常大的特征，同时造成电子照相感光单元在重复使用中电位波动大的问题。

至于卟啉化合物，JP-A 63-106662披露了一种电子照相感光单元，在其电荷产生层中利用了一种5，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉化合物，但没有成功达到工业级的灵敏度特性。

此外，JP-A 5-333575提到了四吡啶基卟啉作为N型导电颜料的实例，其与酞菁化合物结合使用，构成电荷产生材料，但没有关于四吡啶基卟啉的具体进一步说明。

对于参考文献，卟啉化合物的合成已有报道，例如：1)H.Fisher及W.Glein，ANN.Chem.，521，157(1936)；2)R.Rothemund，J.Amer.Chem.Soc.，58，525(1936)；3)A.Adler，F.Longo，F.Kampas and J.Kim.，J.Inorg.Nucl.Chem.，32，2442(1970)；和4)A.Shamin，P.Worthington及P.Hambright，J.Chem.Soc.Pak.，3(1)，p.1-3(1981)。

发明综述

本发明的目的在于提供一种卟啉化合物，其适用于作为电子照相感光单元中的电荷产生材料。

本发明更具体的目的在于提供一种四吡啶基卟啉化合物，尤其是四吡啶基卟啉根合-锌化合物，它具有一种新的晶形。

本发明的另一目的在于提供一种电子照相感光单元，其通过利用该四吡啶基卟啉化合物，使它在波长380-500纳米范围表现出灵敏度高。

本发明进一步的目的在于提供一种照相版盒及一种装备有该电子照相感光单元的电子照相设备。

按照本发明，这里提供了一种5，10，15，20-四吡啶基-21H，23H-卟啉根合-锌化合物，它具有选自如下(a)、(b)及(c)的晶形：在CuK_α特征X射线衍射图中分别为