[发明专利]结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器

权利要求书

1、一种在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，包含以下步骤：在真空或还原性气氛中，保持温度在不低于25℃和不高于300℃情况下，施加紫外线到一基底材料上的非晶质半导体薄膜。

2、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该还原性气氛包含氢气。

3、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该紫外线是来自准分子灯的光。

4、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该保持温度在从50℃到250℃的范围内。

5、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该基底材料是塑料基底材料，该保持温度在从50℃到该塑料基底材料的耐热温度的范围内。

6、根据权利要求5的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该塑料基底材料的耐热温度从100℃到230℃。

7、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该非晶质半导体薄膜是一氧化物半导体薄膜。

8、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该非晶质半导体薄膜是一用溅射方法形成的氧化钛薄膜。

9、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于该结晶半导体薄膜是一锐钛矿型的氧化钛薄膜，或一包含锐钛矿型氧化钛与金红石型氧化钛混晶的薄膜。

10、根据权利要求1的在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法，其特征在于一透光性导电薄膜放置在所述基底材料和非晶质半导体薄膜之间。

11、一种叠层片，至少有基底材料和结晶半导体薄膜，其制作方法包含以下步骤：在真空或还原性气氛中，保持温度在不低于25℃和不高于300℃情况下，施加紫外线到一基底材料上的非晶质半导体薄膜。

12、一种叠层片，至少有基底材料、透光性导电薄膜和结晶半导体薄膜，其制作方法包含以下步骤：在真空或还原性气氛中，保持温度在不低于25℃和不高于300℃情况下，施加紫外线到一基底材料上的非晶质半导体薄膜。

13、根据权利要求11的叠层片，其特征在于该基底材料是塑料基底材料。

14、一种叠层片，至少有塑料基底材料和结晶半导体薄膜。

15、根据权利要求14的叠层片，其特征在于该结晶半导体薄膜是锐钛矿型氧化钛薄膜，或包含锐钛矿型氧化钛与金红石型氧化钛混晶的薄膜。

16、一种叠层片，至少依次有塑料基底材料、透光性导电薄膜和结晶半导体薄膜。

17、一种滤色器，包括：至少依次有塑料基底材料、透光性导电薄膜和结晶半导体薄膜的叠层片；以及用光-电沉积方法或光催化方法在该叠层片上形成的有色膜。

18、一种方法，在低压或还原性气氛中，施加紫外线到置于基底材料上的非晶质金属氧化物薄膜上，从而使非晶质金属氧化物薄膜变为结晶的金属氧化物薄膜。

19、根据权利要求18的方法，紫外线均匀地照射在该薄膜上。

20、根据权利要求18的方法，进一步包含步骤：在紫外线照射期间保持高于常温的温度。