[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种把晶片收纳于晶片搬运容器内在半导体装置的一连串制造工序中使用的制造装置之间进行晶片移动的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述各个制造工序中，

把晶片搬运容器载置到使上述晶片搬运容器的盖子自动开闭的装载口的上边，

通过上述装载口把收纳在上述晶片搬运容器内部的晶片搬运到上述制造装置内，

使控制上述晶片搬运容器内部环境的环境控制单元的运行条件变更为与上述制造装置的处理内容或检查内容相对应的条件，

使结束了上述规定处理或检查的上述晶片，通过上述装载口再次收纳于上述晶片搬运容器的内部，

一直到把上述晶片搬运到后序制造工序中使用的制造装置内为止的期间，根据变更后的上述运行条件，控制上述晶片搬运容器的内部环境。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述环境控制单元，具备水分除去器和杂质除去过滤器之内的至少一方、以及微粒除去过滤器和送风风扇。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述制造装置内对上述晶片进行规定处理/检查的期间内，使干净空气在上述晶片搬运容器内部循环，以除去上述晶片搬运容器内部的剩余气体。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在把上述晶片搬运容器载置到上述装载口上边的期间内，使供给用来驱动上述环境控制单元的电力的充电电池充电。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：检测上述充电电池的充电剩余容量，只要在充电率不足80％的情况下就使该充电电池充电。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：预先把一连串的制造工序和上述晶片搬运容器的上述运行条件按1∶1对应的上述运行条件的信息流数据存储在生产系统内，并从生产系统指示上述环境控制单元的运行条件。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：预先把一连串的制造工序和上述晶片搬运容器的上述运行条件按1∶1对应的上述运行条件的信息流数据存储在控制上述环境控制单元的运行的超净单元控制装置内的存储装置中，并从上述超净单元控制装置指示上述环境控制单元的运行条件。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述晶片搬运容器所具有的显示部分上，显示上述环境控制单元的运行条件、上述晶片搬运容器的内部状态、现在正在进行的制造工序和其次要进行的制造工序。

9.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述微粒除去过滤器，是由无纺布过滤器或者聚四氟乙烯或聚乙烯过滤器之内的任何至少一种构成的高效微粒空气过滤器或者超低渗透空气过滤器。

10.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述杂质除去过滤器，是化学过滤器或活性碳过滤器。

11.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：用上述水分除去器向上述晶片搬运容器内填充惰性气体或干燥空气。

12.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：用具备上述水分除去器的高分子固体电解膜，分解上述晶片搬运容器内的水分。

13.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在离子注入装置内对上述晶片进行离子注入处理的期间内，开始上述送风风扇的运行，停止上述水分除去器的运行，开始上述杂质除去过滤器的运行。

14.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在扩散炉装置内对上述晶片进行已掺杂的氧化硅膜的淀积处理的期间内，停止上述水分除去器的运行，开始上述杂质除去过滤器的运行。