[发明专利]高耐压半导体装置

权利要求书

1.一种高耐压半导体装置，包括：在第一导电型半导体衬底上形成的第二导电型半导体领域；

在所述半导体领域上形成的第二导电型接触用扩散领域；

与所述接触用扩散领域分开，在所述半导体领域内形成的，包围了所述接触用扩散领域的第一导电型分离扩散领域；

在位于所述分离扩散领域和所述接触用扩散领域之间的所述半导体领域上形成的场绝缘膜；

与所述接触用扩散领域连接并导通的金属电极；

与所述接触用扩散领域分开，在所述场绝缘膜上以浮动状态形成的多个板式电极，且从衬底法线方向观察，它们包围了所述接触用扩散领域；

在所述场绝缘膜和所述多个板式电极上形成的层间绝缘膜；

所述金属电极的一部分，延伸到位于所述多个板式电极上的所述层间绝缘膜上，所述金属电极的所述一部分和所述多个板式电极彼此电容耦合；

在所述第二导电型接触用扩散领域所包围的所述第二导电型半导体领域中，设置CMOS晶体管、电阻及电容中的一个或双方。

2.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中所述高耐压半导体装置是包含高压一侧驱动电路的变压器控制用高耐压半导体装置，所述高压一侧驱动电路包含CMOS晶体管、电阻及电容中的一个或双方。

3.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中与接触用扩散领域连接的所述多个金属电极中的至少一个，具有比与该金属电极电容耦合的板式电极窄的横向宽度。

4.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中所述金属电极具有隔着所述层间绝缘膜，覆盖了所述多个板式电极中离所述接触用扩散领域最近的板式电极的整个上表面的部分。

5.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中所述多个金属电极的各横向宽度，离所述接触用扩散领域越远，变得越窄。

6.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中在位于所述多个板式电极之下的所述半导体领域的上部形成了第一导电型的多个护环领域。

7.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中在与所述第一导电型半导体衬底和所述第二导电型半导体领域之间的高压一侧驱动电路用元件领域对应的位置上，形成第二导电型的嵌入领域。

8.一种高耐压半导体装置，包括：在第一导电型半导体衬底上形成的绝缘层；

配置在所述绝缘层上的第二导电型半导体领域；

在所述半导体领域上形成的第二导电型接触用扩散领域；

与所述接触用扩散领域分开，而且在所述半导体领域内形成的包围了所述接触用扩散领域的分离用绝缘领域；

在位于所述分离用绝缘领域和所述接触用扩散领域之间的所述半导体领域上形成的场绝缘膜；

与所述接触用扩散领域连接并导通的金属电极；

与所述接触用扩散领域分开，并在所述场绝缘膜上以浮动状态形成的多个板式电极，且从衬底法线方向观察，它们包围了所述接触用扩散领域；

在所述场绝缘膜和所述多个板式电极上形成的层间绝缘膜；

所述金属电极的一部分，延伸到分别位于所述多个板式电极上的层间绝缘膜上，所述金属电极的所述一部分和所述多个板式电极彼此电容耦合，在所述第二导电型接触用扩散领域所包围的所述第二导电型半导体领域中，设置CMOS晶体管、电阻及电容中的一个或双方。

9.权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中所述高耐压半导体装置是含有高压一侧驱动电路的变压器控制用高耐压半导体装置，所述高压一侧驱动电路含有所述CMOS晶体管、所述电阻及所述电容中的一个或双方。

10.根据权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中所述多个环状金属电极中的至少一个，具有比与该金属电极电容耦合的板式电极窄的横向宽度。

11.根据权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中所述金属电极具有隔着所述层间绝缘膜，覆盖了所述多个板式电极中离所述接触用扩散领域最近的板式电极的整个上表面的部分。

12.根据权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中所述多个环状金属电极的各横向宽度，离所述漏扩散领域越远，变得越窄。

13.根据权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中在位于所述多个板式电极之下的所述半导体领域的上部形成了第一导电型的多个护环领域。

14.根据权利要求1～13中的任意一项所述的高耐压半导体装置，其中还具有：在所述金属电极和所述层间绝缘膜上形成的表面保护膜和在所述表面保护膜上形成的密封树脂部。