[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 02102581.9 | 申请日: | 2002-01-25 |
公开(公告)号: | CN1367538A | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
发明(设计)人: | 柴田明夫;江本真树子;横田洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:
使半导体晶体衬底的一个正面与含有氟化物的电解液接触;
将一个电极放置于所述电解液中;
在所述电极和所述半导体晶体衬底之间产生电流,向所述半导体晶体衬底的反面施加光,以生成数对空穴和电子,所述空穴移动到所述半导体晶体衬底的所述正面上;和
通过使所述空穴和所述电解液中的离子结合来蚀刻所述半导体晶体衬底,由此在所述半导体晶体衬底中形成一通孔。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于:
所述半导体晶体衬底包括一单晶硅衬底或一多晶硅衬底。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于:
所述半导体晶体衬底包括一具有至多150μm(微米)厚度的衬底。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于:进一步包括:
在所述半导体晶体衬底的一个面上沉积一绝缘膜;
在所述绝缘膜中形成多个孔口;和
通过所述孔口,对所述半导体晶体衬底进行蚀刻,以形成多个通孔。
5.根据权利要求1所述方法,其特征在于:
所述绝缘膜包括氮化硅膜。
6.根据权利要求1所述方法,其特征在于:
提供一具有多个孔口的掩模,以选择性地将光照射在所述半导体晶体衬底的反面上。
7.根据权利要求6所述方法,其特征在于:
所述掩模包括一具有多个孔口的屏板。
8.一种太阳能电池,该电池包括:
具有至多150μm(微米)厚度的半导体晶体衬底和定义于其中的多个通孔。
9.根据权利要求8所述太阳能电池,其特征在于:
所述半导体晶体衬底包括一单晶硅衬底或一多晶硅衬底。
10.根据权利要求8所述太阳能电池,其特征在于:
按以下方式形成所述通孔:通过使所述半导体晶体衬底的一个正面与含有氟化物的电解液接触,产生一通过所述半导体晶体衬底的电流,并向所述半导体晶体衬底的反面施加光。
11.根据权利要求8所述太阳能电池,其特征在于:
通过用激光束选择性地照射打孔来形成所述通孔。
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