[发明专利]半导体集成电路及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

半导体衬底，具有分别限定在其正表面上的多个凸起电极形成区和凸起电极非形成区；

第一电极焊盘，形成在凸起电极非形成区中；

第二电极焊盘，形成在每个凸起电极形成区中；以及

凸起电极，形成在每个第二电极焊盘上；

其中在利用电镀形成凸起电极中第一电极焊盘用于将电镀电流经过半导体衬底供给第二电极焊盘。

2.按照权利要求1所述的半导体集成电路，其中凸起电极非形成区包括分别形成有第一电极焊盘的多个凸起电极非形成区。

3.按照权利要求1所述的半导体集成电路，第一电极焊盘形成在第二电极焊盘的附近。

4.按照权利要求1所述的半导体集成电路，半导体衬底包括在半导体衬底的背表面上的金属膜。

5.一种制备如权利要求1的半导体集成电路的方法，该方法包括如下步骤：

在半导体衬底(晶片)的正表面上限定多个凸起电极形成区和凸起电极非形成区，凸起电极形成区与半导体衬底绝缘，凸起电极非形成区与半导体衬底相导电；

在凸起电极非形成区中形成第一电极焊盘；

在每个凸起电极形成区中形成第二电极焊盘；

形成导电层，用于在半导体衬底上连接第一电极焊盘和第二电极焊盘；

用光致抗蚀剂膜覆盖除第二电极焊盘之外的半导体衬底的正表面；

经过半导体衬底、第一电极焊盘和导电层，从半导体衬底的背表面将电镀电流供给第二电极焊盘；

利用电镀，在每个第二电极焊盘上形成凸起电极；以及

从半导体衬底去除光致抗蚀剂膜和导电层。

6.按照权利要求5所述的方法，其中限定凸起电极非形成区的步骤包括在半导体衬底的正表面上限定多个凸起电极非形成区的步骤，而形成第一电极焊盘的步骤包括在每个凸起电极非形成区中形成第一电极焊盘的步骤。

7.按照权利要求5所述的方法，其中形成第一电极焊盘的步骤包括在第二电极焊盘的附近形成第一电极焊盘的步骤。

8.按照权利要求5所述的方法，还包括在半导体衬底的背表面上形成金属膜的步骤，

其中电镀电流经金属膜提供。

9.一种半导体集成电路，包括：

半导体衬底，具有分别限定在其表面上的凸起电极形成区和凸起电极非形成区；

第一电极焊盘，形成在凸起电极非形成区中；

第二电极焊盘，形成在每个凸起电极形成区中；以及

凸起电极，形成在第二电极焊盘上；

其中在利用电镀形成凸起电极中第一电极焊盘用于将电镀电流经过半导体衬底供给第二电极焊盘。