[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和液晶显示装置无效
| 申请号： | 01805072.7 | 申请日： | 2001-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1401142A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 生田茂雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/306;H01L21/316;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含下述工序：
使含有臭氧的水与在基板上形成的半导体膜的表面接触以便在上述表面上形成表面氧化层的工序；
在上述半导体膜上形成规定图形的掩模的工序；
进行从使用上述掩模进行刻蚀和杂质离子的注入中选出的某一处理的工序；以及
在至少已露出的上述半导体膜的表面上形成了上述表面氧化层的状态下除去上述掩模的工序。
2.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
还包含在除去了掩模后除去表面氧化层的工序。
3.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
还包含在形成表面氧化层之前除去半导体膜的表面层的工序。
4.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
表面氧化层的厚度为0.5nm～5nm。
5.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
图形掩模是光致抗蚀剂。
6.如权利要求5中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
使用碱性的剥离液除去光致抗蚀剂。
7.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
半导体膜是从多晶硅膜和非晶硅膜中选出的至少一方。
8.如权利要求7中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
半导体膜是多晶硅膜。
9.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
基板是玻璃板。
10.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
使用掩模来刻蚀半导体膜。
11.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
使用掩模对半导体膜注入杂质离子。
12.如权利要求1中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
在半导体膜上经至少1层绝缘膜形成规定图形的掩模，使用上述掩模来刻蚀上述绝缘膜。
13.如权利要求12中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：
在刻蚀了绝缘膜后，在已露出的半导体膜的表面上形成表面氧化层。
14.一种液晶显示装置，其特征在于：
具备使用权利要求1中所述的方法得到的薄膜晶体管。
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