[发明专利]光学信息介质及其使用无效
申请号: | 01805033.6 | 申请日: | 2001-11-29 |
公开(公告)号: | CN1401117A | 公开(公告)日: | 2003-03-05 |
发明(设计)人: | G·F·周;J·C·N·里珀斯 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,陈霁 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 信息 介质 及其 使用 | ||
1.一种用于利用有激光波长的激光束(10)进行可擦除记录的光学信息介质(20),所述介质(20)有基板(1)和在其上面提供的层的层叠(2),层叠(2)包括第一介电层(5)和第二介电层(7),位于第一介电层(5)和第二介电层(7)之间的能够在非晶态和晶态之间改变的记录层(6),及反射层(3),
其特征在于记录层(6)包含通式为GexTe100-x的化合物,其中:x是Ge的以at.%的百分率,且30<x<70,
第一介电层(5)包含选自Ta和Si的氧化物、Si和Al的氮化物及Si的碳化物的化合物,而且其与记录层(6)接触。
2.权利要求1中所述的光学信息介质(20),其特征在于第二介电层(7)包含选自Ta和Si的氧化物、Si和Al的氮化物及Si的碳化物的化合物,而且其与记录层(6)接触。
3.权利要求2中所述的光学信息介质(20),其特征在于第一介电层(5)包含选自Ta2O5和Si3N4的化合物,而第二介电层(7)包含选自Ta2O5和Si3N4的化合物。
4.权利要求3中所述的光学信息介质(20),其特征在于第一介电层(5)和第二介电层(7)的厚度至多为15nm。
5.权利要求4中所述的光学信息介质(20),其特征在于第一介电层(5)和第二介电层(7)的厚度为2-10nm。
6.权利要求1中所述的光学信息介质(20),其特征在于40<x<60。
7.权利要求1-6任何一项中所述的光学信息介质(20),其特征在于记录层(6)的化合物附加地包含数量高达5at.%的0。
8.权利要求1-6任何一项中所述的光学信息介质(20),其特征在于记录层(6)的化合物附加地包含数量高达5at.%的N。
9.权利要求1中所述的光学信息介质(20),其特征在于反射层(3)包含选自金属Al、Ti、Au、Ag、Au、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn、Cr、Mo、W、Hf和Ta中的至少一种,包括其合金。
10.一种用于高速记录的光学信息介质(20)的使用,其中激光束和介质之间的相对速度至少为7.2m/s,其特征在于使用了前面一项权利要求中的光学信息介质。
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