[发明专利]薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，其特征在于：

通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm²以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜。

2.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于：供给上述电极的总电力超过15千瓦。

3.如权利要求1或2所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述高频电压是连续的正弦波。

4.如权利要求1-3中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：通过使上述衬底的形成薄膜的面与上述电极的至少一侧相对地移动，在上述衬底上形成薄膜。

5.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：通过使上述衬底位于上述电极之间，且在上述电极之间导入上述反应性气体，在上述封底上形成薄膜。

6.如权利要求4或5所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述电极的放电面的与上述移动方向垂直的宽度方向上的长度，与上述衬底上的形成薄膜的区域的上述宽度方向上的长度相同或更大。

7.如权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述移动方向上的长度是上述电极的放电面的上述宽度方向上的长度的1/10以上。

8.如权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述电极的放电面积是1000cm²以上。

9.如权利要求1-8中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述电极的至少一侧的放电面是覆盖有介电体的介电体覆盖电极。

10.如权利要求9所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述介电体是熔融喷射陶瓷后，用无机化合物封口处理形成的。

11.如权利要求10所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述陶瓷是氧化铝。

12.如权利要求10或11所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述封口处理的无机化合物是通过溶胶凝胶反应硬化而形成的。

13.如权利要求12所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述溶胶凝胶反应通过能量处理被促进。

14.如权利要求13所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述能量处理是200℃以下的热处理或紫外线照射。

15.如权利要求12-14中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述封口处理的无机化合物在溶胶凝胶反应后含有60摩尔％以上的SiOx。

16.如权利要求9-15中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述介电体的孔隙率为10体积％以下。

17.如权利要求16所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述介电体的孔隙率为8体积％以下。

18.如权利要求9-17中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述介电体覆盖电极的耐热温度为100℃以上。

19.如权利要求9-18中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述介电体覆盖电极中，上述导电性母材和上述介电体的线热膨胀系数差为10×10^-6/℃以下。

20.如权利要求9-19中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述介电体的比介电率为6-45。

21.如权利要求1-20中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述电极中的至少一个具有冷却单元，上述冷却单元构成为在上述电极的导电性母材内部具有冷却水的通路，冷却水流过该通路进行冷却。

22.如权利要求1-21中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述衬底是长形膜，上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触，且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极，与上述辊电极对置的电极是多个电极群。

23.如权利要求22所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述电极群都是方柱型电极。

24.如权利要求22或23所述的薄膜形成方法，其特征在于：上述辊电极的与上述衬底接触的面的表面被研磨处理。