[发明专利]底栅型薄膜晶体管,其制造方法和使用该晶体管的液晶显示装置无效
| 申请号： | 01802561.7 | 申请日： | 2001-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1401135A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | T·于卡瓦 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底栅型 薄膜晶体管 制造 方法 使用 晶体管 液晶 显示装置 | ||
1.一种底栅型薄膜晶体管，其中基底层，栅极，栅绝缘膜，以及源和漏极依此顺序设置，
该晶体管包括一个半导体沟道层，该沟道层在与源和漏极相应的相互对立端接触并与栅极结合地形成的同时，与栅绝缘膜露出在源和漏极之间的部分接触，
该沟道层在源和漏极的上平面侧上从相互对立端的一端跨接至另一端，
该沟道层与源和漏极接触的部分形成欧姆接触表面层。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，形成在该沟道层底部的沟道与源和漏极一起在剖面图上形成直线型电流通路。
3.如权利要求1或2所述的晶体管，其特征在于，栅极由截止可能进入该沟道层的光的光屏蔽材料形成。
4.一种透射式液晶显示装置，其像素由按照权利要求1-3任何之一的底栅型薄膜晶体管驱动，该显示装置包括位于基底层后侧的光照射系统。
5.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：
在基底层上以该顺序形成栅极，栅绝缘膜，以及源和漏极的预备步骤；
用磷等离子掺杂源和漏极的表面层的磷处理步骤；以及
随后借助等离子掺杂工艺制造半导体沟道层的沟道层形成步骤，该半导体沟道层在与源和漏极相应的相互对立端接触并与栅极结合地形成的同时，与栅绝缘膜露出在源和漏极之间的部分接触，该沟道层在源和漏极的上平面侧上从相互对立端的一端跨接至另一端。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，借助同一等离子CVD设备进行该磷处理步骤和该沟道层形成步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
