[发明专利]高纯度氟聚合物无效
| 申请号: | 01802172.7 | 申请日: | 2001-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN1386121A | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
| 发明(设计)人: | T·J·布隆;D·迪谢纳;G·勒尔;A·基利切;T·齐普利斯;R·考尔巴赫;H·斯特拉伯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | C08F8/22 | 分类号: | C08F8/22;C08F6/22 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沙永生 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纯度 聚合物 | ||
1.可萃取金属离子含量小于0.05ppm的氟聚合物。
2.高纯度氟聚合物的制造方法,它包括下列步骤:
a)提供含有可萃取离子的氟聚合物,和
b)使氟聚合物与酸的水溶液介质接触,接触时间要足以从氟聚合物中除去可萃取离子。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于所述的氟聚合物与所述的酸的水溶液介质接触,接触时间要足以使氟聚合物中的可萃取离子含量降低到小于0.05ppm。
4.如权利要求1所述的氟聚合物或权利要求2或3所述的方法,其特征在于所述的氟聚合物是热塑性氟聚合物。
5.如权利要求1所述的氟聚合物或权利要求2或3所述的方法,其特征在于所述的氟聚合物是全氟热塑性聚合物。
6.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于它还包括使所述的氟聚合物与含氟气体接触以从所述的氟聚合物中除去不稳定端基的另一步骤,该步骤宜在固定床中,于50℃和所述的氟聚合物开始熔化之间的温度下进行。
7.如权利要求1所述的氟聚合物或权利要求2-3和6中任何一项所述的方法,其特征在于所述的氟聚合物中每106个碳原子中的不稳定端基数小于30。
8.如权利要求2-3中任何一项所述的方法,其特征在于它包括下列步骤:
a)所述的氟聚合物是以附聚物形式提供的全氟热塑性聚合物,
b)干燥所述的附聚物,除去残余的水分,
c)在基本固定的床中于50℃和所述的附聚物开始熔化之间的温度下氟化所述干燥后的附聚物,
d)从所述的附聚物中除去氟化的介质,
e)对所述氟化的附聚物进行造粒,和
f)通过使所述的粒状附聚物与所述酸的水溶液介质接触,除去几乎所有的可萃取离子。
9.如权利要求2-3中任何一项所述的方法,其特征在于
a)所述的氟聚合物是以干燥附聚物形式提供的全氟热塑性聚合物,
b)在基本固定的床中使所述的附聚物氟化,氟化时间要足以使所述氟聚合物中每106个碳原子中的不稳定端基数降至小于30,
c)对所述氟化的附聚物进行造粒,和
d)使所述的粒状氟聚合物与酸的水溶液介质接触,接触时间要足以使所述氟聚合物中的可萃取离子含量降低到小于0.05ppm。
10.用于半导体工业的物品,其特征在于它包含权利要求1所述的氟聚合物或权利要求2或3所述的方法制成的氟聚合物。
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