[发明专利]用于半导体生产设备的净化气

权利要求书

1.用于去除半导体生产设备中的沉积物的净化气，它含有惰性气体和选自SF₆、F₂、NF₃中的至少两种，但排除惰性气体与F₂和NF₃的组合。

2.如权利要求1所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有SF₆、F₂和惰性气体。

3.如权利要求1所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有SF₆、NF₃和惰性气体。

4.如权利要求1所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有SF₆、F₂、NF₃和惰性气体。

5.如权利要求1-4中任一项所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述惰性气体为选自He、Ne、Ar、Xe、Ke和N₂中的至少一种。

6.如权利要求5所述的用于半导体底层设备的净化气，其特征在于，所述惰性气体为选自He、Ar和N₂中的至少一种。

7.如权利要求1所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，以体积比计，设SF₆为1，F₂和/或NF₃为0.01-5，惰性气体为0.01-500。

8.如权利要求7所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，以体积比计，设SF₆为1，F₂和/或NF₃为0.1-1.5，惰性气体为0.1-30。

9.如权利要求1所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有全氟化烃、含氟烃、全氟醚、含氟醚气体中的至少一种。

10.如权利要求9所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述全氟化烃和含氟烃各具有1-4个碳原子，所述全氟醚和含氟醚各具有2-4个碳原子。

11.一种用于去除半导体生产设备中的沉积物的净化气，它含有含氧气体、惰性气体和选自SF₆、F₂、NF₃中的至少两种气体，但排除含氧气体、惰性气体、F₂和NF₃的组合。

12.如权利要求11所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有含氧气体、惰性气体、SF₆和F₂。

13.如权利要求11是的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有含氧气体、惰性气体、SF₆和NF₃。

14.如权利要求11所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述净化气含有含氧气体、惰性气体、SF₆和F₂和NF₃。

15.如权利要求11-14中任一项所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述含氧气体为选自O₂、O₃、N₂O、NO、NO₂、CO和CO₂中的至少一种。

16.如权利要求15所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述含氧气体是O₂和/或N₂O。

17.如权利要求11-14中任一项所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述惰性气体选自He、Ne、Ar、Xe、Kr和N₂中的至少一种。

18.如权利要求7所述的用于半导体生产设备的净化气，其特征在于，所述惰性气体为选自He、Ar和N₂中的至少一种。