[发明专利]检查装置及检查方法

权利要求书

1.一种检查装置，是通过提供液晶驱动用的信号至液晶面板用基板，而以非接触方式检测该液晶面板用基板的电极的电位变化，其特征在于，具备有：

检测机构，使用多个传感器单元以检测上述电极的电位变化；以及

选择机构，输出选择上述传感器单元用的选择信号；

上述传感器单元，组成于半导体的单结晶上或者平板上，其包括：

无源元件，当作静电电容耦合的对向电极而动作于上述电极，藉以检测上述电极的电位变化；以及

晶体管，按照上述选择信号的输入而输出依上述无源元件而输出的检测信号。

2.如权利要求1的检查装置，其特征在于，配置上述传感器单元以取代构成上述液晶面板的对向电极。

3.如权利要求1或2的检查装置，其特征在于，上述液晶面板为TFT面板，上述检测机构是通过施加液晶驱动用的信号至构成该TFT面板的薄膜晶体管的源极与门极，来检测漏极的电位变化。

4.如权利要求1、2或3的检查装置，其特征在于，上述晶体管为电流读出用的MOSFET，上述无源元件与作为源极的扩散层成为连续，通过将上述选择信号输入栅极，可自漏极获得检测信号。

5.如权利要求1、2或3的检查装置，其特征在于，上述晶体管为电流读出用薄膜晶体管，将上述无源元件与上述薄膜晶体管的源极连接，通过输入上述选择信号至栅极，可自漏极获得检测信号。

6.如权利要求1、2或3的检查装置，其特征在于，上述晶体管为串联配置的第1、第2MOSFET，将上述无源元件与上述第1MOSFET的栅极连接，将上述选择信号与上述第2MOSFET的栅极连接，在上述第2MOSFET的漏极上接受按照施加于上述第1MOSFET的栅极上的上述无源元件的电位而变化的上述第1MOSFET的源极电位，再作为检测信号自源极输出。

7.如权利要求1、2或3的检查装置，其特征在于，上述晶体管为串联配置的第1、第2薄膜晶体管，将上述无源元件与上述第1薄膜晶体管的栅极连接，将上述选择信号与上述第2薄膜晶体管的栅极连接，在上述第2薄膜晶体管的漏极上接受按照施加于上述第1薄膜晶体管的栅极上的上述无源元件的电位而由变化的上述第1薄膜晶体管的源极电位，再作为检测信号自源极输出。

8.如权利要求1、2或3的检查装置，其特征在于，上述晶体管为双载子晶体管，通过将上述无源元件与发射极连接，将上述选择信号输入基极，而可自集电极获得检测信号。

9.如权利要求1、2或3的检查装置，其特征在于，上述晶体管为电荷读出用MOSPET，将上述无源元件与作为源极的扩散层连接，通过将上述选择信号输入栅极，以降低形成于栅极下的电位障壁，将源极测的信号电荷作为检测信号电荷传送至漏极侧，而由连接漏极侧的电荷传送组件传送检测信号。

10.如权利要求9的检查装置，其特征在于，对应上述电极的电位变化提供电荷给上述无源元件，且在电极的电位变化结束前，将形成不会使所提供的上述电荷发生逆向流动的电位障壁的电荷供给MOSPET的漏极，与上述无源元件的扩散层形成连续。

11.如权利要求书1-10中任一项的检查装置，其特征在于，上述传感器单元配置成矩阵状。

12.如权利要求书1-11中任一项的检查装置，其特征在于，上述检测机构的传感器单元，又包括接触上述无源元件表面的导体板。

13.如权利要求书1-12中任一项的检查装置，其特征在于，又具备遮光机构，用以防止对上述传感器单元的半导体的光照射。

14.一种检查方法，是通过提供液晶驱动用的信号至液晶面板用基板，使用多个传感器单元而以非接触方式检测该液晶面板用基板的电极的电位变化，其特征在于，

上述传感器单元，组成于半导体的单结晶上、或者平板上，其包括，

无源元件，当作静电电容耦合的对向电极而动作于上述电极，藉以检测上述电极的电位变化；以及

晶体管，输出上述无源元件发出的检测信号。